際際滷

際際滷Share a Scribd company logo

494. RPS Teknologi IC - OK (Munawar)1.pdf

A
Adi Mulyadi

Teknologi IC

1 of 5
RENCANA PEMBELAJARAN SEMESTER Program Studi: Teknik Elektro Fakultas: Teknik Mata Kuliah: Teknologi Rangkaian Terintegrasi Kode: SKS: 3 Sem: 6 Prasyarat Dasar Elektronika Dosen Pengampu: Capaian Pembelajaran Mata Kuliah: Mampu menerapkan (C3) langkah-langkah proses teknologi proses fabrikasi divais semikonduktor & rangkaian terintegrasi (IC), khususnya teknologi MOSFET dengan mengasumsikan (A3) kondisi ideal serta mengkombinasikan (P4) program perangkat lunak dengan menggunakan komputer minimal dapat dieksekusi Deskripsi singkat Mata Kuliah: Teknologi Rangkaian Terintegrasi adalah mata kuliah wajib untuk konsentrasi Elektronika. Mata kuliah ini membekali mahasiswa tentang konsep dasar teknologi pemrosesan IC. Kemudian mahasiswa dikenalkan tentang rincian teknik lithografi, manipulasi konsentrasi doping substrat, deposisi dan interkoneksi beserta instrumen terkait. Untuk mengintegrasikan pemahaman yang diperoleh, mahasiswa diajari mensimulasikan teknik fabrikasi untuk devais mikroelektronika dasar. 1 2 3 4 5 6 7 Minggu ke Kemampuan Akhir tiap tahapan pembelajaran Bahan Kajian/ Pokok Bahasan Metode Pembelajaran Waktu Pengalaman Belajar Mahasiswa Penilaian Kriteria & Indikator Bobot (%) 1 Mengetahui sejarah penemuan transistor semikonduktor dan karakteristik silikon Perkembangan semikonduktor dan teknologi IC - Ceramah - Small Group Discussion TM: 3 x 50 BT + BM = [(3 x 50) + (3 x 60)] Diskusi kelompok menguraikan milestone perkembangan IC dan processor Ketepatan menyebutkan kejadian penting dalam perkembangan IC Keaktifan mahasiswa dalam 5%
diskusi 2 Menggunakan (C3) hukum Moore untuk prediksi teknologi IC Hukum Moore - Ceramah - Small Group Discussion TM: 3 x 50 BT + BM = [(3 x 50) + (3 x 60)] Diskusi kelompok memprediksi trend berdasar hukum Moore Ketepatan prediksi jumlah transistor dalam chip Keaktifan mahasiswa dalam diskusi 5% 3 Memahami teknologi planar terkait dengan fabrikasi transistor MOSFET secara umum dan singkat. Teknologi planar dalam tahapan pemrosesan IC - Ceramah - Small Group Discussion TM: 3 x 50 BT + BM = [(3 x 50) + (3 x 60)] Diskusi kelompok memahami langkah-langkah proses fabrikasi Ketepatan menggambarkan tahap teknologi planar dalam fabrikasi Keaktifan mahasiswa dalam diskusi 5% 4 Memahami teknik penumbuhan kristal silikon sehingga menghasilkan wafer silikon yang berkualitas. Metode penumbuhan wafer silicon - Ceramah - Small Group Discussion TM: 3 x 50 BT + BM = [(3 x 50) + (3 x 60)] Diskusi kelompok menonton video dan menguraikan perbedaan CZ dan FZ Ketepatan menjelaskan teknik pembuatan wafer Keaktifan mahasiswa dalam diskusi 5% 5 Menjelaskan teknik pemindahan pola kepada lapisan di permukaan substrat semikonduktor. Photolithografi - Ceramah - Small Group Discussion TM: 3 x 50 BT + BM = [(3 x 50) + (3 x 60)] Diskusi kelompok menonton video dan menguraikan langkah lithografi dengan resist + / - Ketepatan membedakan teknik lithografi untuk resist yang berlainan Keaktifan 5%
mahasiswa dalam diskusi 6 Memahami teori, proses fabrikasi dan karakterisasi dari lapisan silikon dioksida berkualitas baik Oksidasi silicon - Ceramah - Small Group Discussion TM: 3 x 50 BT + BM = [(3 x 50) + (3 x 60)] Diskusi kelompok memperkirakan ketebalan lapisn oksida dengan proses termal Ketepatan menghitung ketebalan lapisan oksida Keaktifan mahasiswa dalam diskusi 5% 7 Memahami teori, proses fabrikasi dan karakterisasi dari lapisan difusi tipe-N & tipe-P. Difusi pada wafer silicon - Ceramah - Small Group Discussion TM: 3 x 50 BT + BM = [(3 x 50) + (3 x 60)] Diskusi kelompok melakukan estimasi kedalaman junction Ketepatan perhitungan kedalaman junction Keaktifan mahasiswa dalam diskusi 5% 8 UTS 100 15% 9 Mempelajari dan berlatih memodelkan suatu proses fabrikasi dengan simulator SUPREM-III. Pengantar simulasi fabrikasi menggunakan SUPREM-III - Ceramah - Small Group Discussion - Discovery TM: 3 x 50 BT + BM = [(3 x 50) + (3 x 60)] Diskusi kelompok mengoperasikan software untuk simulasi proses fabrikasi Ketepatan pengoperasian simulator untuk ketebalan lapisan Keaktifan mahasiswa dalam diskusi 5% 10 Memahami teori, proses fabrikasi dan karakterisasi dari lapisan tipe-N dan tipe-P yang dibentuk dari teknik implantasi ion. Implantasi ion - Ceramah - Small Group Discussion TM: 3 x 50 BT + BM = [(3 x 50) + (3 x 60)] Diskusi kelompok membandingkan teknik junction antara difusi dan implantasi Ketepatan membedakan profil junction implant dan difusi termal Keaktifan mahasiswa dalam 5%
diskusi 11 Mengenal teknik deposisi lapisan tipis secara epitaksi, CVD dan PVD. Memahami kualitas lapisan tipis dan proses fabrikasi isolator, polysilicon gate dan lapisan metal pada IC. Deposisi lapisan tipis menggunakan CVD dan PVD - Ceramah - Small Group Discussion TM: 3 x 50 BT + BM = [(3 x 50) + (3 x 60)] Diskusi kelompok membandingkan keunggulan teknik deposisi lapisan tipis Ketepatan membedakan teknik deposisi lapisan tipis Keaktifan mahasiswa dalam diskusi 5% 12 Memahami pentingnya peran kontak dan interkoneksi agar divais yang difabrikasi menjadi rangkaian terintegrasi (IC). Kontak dan interkoneksi pada IC - Ceramah - Small Group Discussion TM: 3 x 50 BT + BM = [(3 x 50) + (3 x 60)] Diskusi kelompok mencari bahan terbaik untuk interkoneksi Ketepatan menjelaskan kinerja bahan interkoneksi Keaktifan mahasiswa dalam diskusi 5% 13 Mempelajari teknik pengemasan IC agar siap digunakan untuk berbagai aplikasi. Packaging dan Yield - Ceramah - Small Group Discussion TM: 3 x 50 BT + BM = [(3 x 50) + (3 x 60)] Diskusi kelompok mencari bentuk packaging yang popular untuk IC Ketepatan prediksi yield pada urutan fabrikasi Keaktifan mahasiswa dalam diskusi 5% 14 Menerapkan integrasi proses pada teknologi bipolar, MOSFET, MESFET, dan MEMS Integrasi proses - Ceramah - Small Group Discussion - Problem based learning TM: 3 x 50 BT + BM = [(3 x 50) + (3 x 60)] Diskusi kelompok mengurai langkah fabrikasi BJT, MOSFET, MESFET/MEMS Ketepatan merancang masker dan urutan proses Keaktifan mahasiswa dalam diskusi 5% 15 Mensimulasikan Simulasi devais - Ceramah TM: 3 x 50 Diskusi kelompok Ketepatan 5%
langkah-langkah tahapan proses devais standar diode dan MOSFET - Small Group Discussion - Problem based learning BT + BM = [(3 x 50) + (3 x 60)] simulasi langkah fabrikasi secara menyeluruh struktur hasil simulasi Keaktifan mahasiswa dalam diskusi 16 UAS 100 15% 8. Daftar Referensi: 1. Richard C. Jaeger: Introduction to Microelectronic Fabrication, Prentice-Hall, 2002 2. G.S. May & S.M. Sze: Fundamentals of Semiconductor Fabrication, John Wiley & Son, 2004. ISBN. 9812- 53-072-X. 3. Michael Quirk, Julian Serda (2000), Semiconductor Manufacturing Technology, Prentice Hall 4. S.A. Campbell: The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication, Oxford University Press, 1996. ISBN. 0-19-510508-7

More Related Content

494. RPS Teknologi IC - OK (Munawar)1.pdf

  • 1. RENCANA PEMBELAJARAN SEMESTER Program Studi: Teknik Elektro Fakultas: Teknik Mata Kuliah: Teknologi Rangkaian Terintegrasi Kode: SKS: 3 Sem: 6 Prasyarat Dasar Elektronika Dosen Pengampu: Capaian Pembelajaran Mata Kuliah: Mampu menerapkan (C3) langkah-langkah proses teknologi proses fabrikasi divais semikonduktor & rangkaian terintegrasi (IC), khususnya teknologi MOSFET dengan mengasumsikan (A3) kondisi ideal serta mengkombinasikan (P4) program perangkat lunak dengan menggunakan komputer minimal dapat dieksekusi Deskripsi singkat Mata Kuliah: Teknologi Rangkaian Terintegrasi adalah mata kuliah wajib untuk konsentrasi Elektronika. Mata kuliah ini membekali mahasiswa tentang konsep dasar teknologi pemrosesan IC. Kemudian mahasiswa dikenalkan tentang rincian teknik lithografi, manipulasi konsentrasi doping substrat, deposisi dan interkoneksi beserta instrumen terkait. Untuk mengintegrasikan pemahaman yang diperoleh, mahasiswa diajari mensimulasikan teknik fabrikasi untuk devais mikroelektronika dasar. 1 2 3 4 5 6 7 Minggu ke Kemampuan Akhir tiap tahapan pembelajaran Bahan Kajian/ Pokok Bahasan Metode Pembelajaran Waktu Pengalaman Belajar Mahasiswa Penilaian Kriteria & Indikator Bobot (%) 1 Mengetahui sejarah penemuan transistor semikonduktor dan karakteristik silikon Perkembangan semikonduktor dan teknologi IC - Ceramah - Small Group Discussion TM: 3 x 50 BT + BM = [(3 x 50) + (3 x 60)] Diskusi kelompok menguraikan milestone perkembangan IC dan processor Ketepatan menyebutkan kejadian penting dalam perkembangan IC Keaktifan mahasiswa dalam 5%
  • 2. diskusi 2 Menggunakan (C3) hukum Moore untuk prediksi teknologi IC Hukum Moore - Ceramah - Small Group Discussion TM: 3 x 50 BT + BM = [(3 x 50) + (3 x 60)] Diskusi kelompok memprediksi trend berdasar hukum Moore Ketepatan prediksi jumlah transistor dalam chip Keaktifan mahasiswa dalam diskusi 5% 3 Memahami teknologi planar terkait dengan fabrikasi transistor MOSFET secara umum dan singkat. Teknologi planar dalam tahapan pemrosesan IC - Ceramah - Small Group Discussion TM: 3 x 50 BT + BM = [(3 x 50) + (3 x 60)] Diskusi kelompok memahami langkah-langkah proses fabrikasi Ketepatan menggambarkan tahap teknologi planar dalam fabrikasi Keaktifan mahasiswa dalam diskusi 5% 4 Memahami teknik penumbuhan kristal silikon sehingga menghasilkan wafer silikon yang berkualitas. Metode penumbuhan wafer silicon - Ceramah - Small Group Discussion TM: 3 x 50 BT + BM = [(3 x 50) + (3 x 60)] Diskusi kelompok menonton video dan menguraikan perbedaan CZ dan FZ Ketepatan menjelaskan teknik pembuatan wafer Keaktifan mahasiswa dalam diskusi 5% 5 Menjelaskan teknik pemindahan pola kepada lapisan di permukaan substrat semikonduktor. Photolithografi - Ceramah - Small Group Discussion TM: 3 x 50 BT + BM = [(3 x 50) + (3 x 60)] Diskusi kelompok menonton video dan menguraikan langkah lithografi dengan resist + / - Ketepatan membedakan teknik lithografi untuk resist yang berlainan Keaktifan 5%
  • 3. mahasiswa dalam diskusi 6 Memahami teori, proses fabrikasi dan karakterisasi dari lapisan silikon dioksida berkualitas baik Oksidasi silicon - Ceramah - Small Group Discussion TM: 3 x 50 BT + BM = [(3 x 50) + (3 x 60)] Diskusi kelompok memperkirakan ketebalan lapisn oksida dengan proses termal Ketepatan menghitung ketebalan lapisan oksida Keaktifan mahasiswa dalam diskusi 5% 7 Memahami teori, proses fabrikasi dan karakterisasi dari lapisan difusi tipe-N & tipe-P. Difusi pada wafer silicon - Ceramah - Small Group Discussion TM: 3 x 50 BT + BM = [(3 x 50) + (3 x 60)] Diskusi kelompok melakukan estimasi kedalaman junction Ketepatan perhitungan kedalaman junction Keaktifan mahasiswa dalam diskusi 5% 8 UTS 100 15% 9 Mempelajari dan berlatih memodelkan suatu proses fabrikasi dengan simulator SUPREM-III. Pengantar simulasi fabrikasi menggunakan SUPREM-III - Ceramah - Small Group Discussion - Discovery TM: 3 x 50 BT + BM = [(3 x 50) + (3 x 60)] Diskusi kelompok mengoperasikan software untuk simulasi proses fabrikasi Ketepatan pengoperasian simulator untuk ketebalan lapisan Keaktifan mahasiswa dalam diskusi 5% 10 Memahami teori, proses fabrikasi dan karakterisasi dari lapisan tipe-N dan tipe-P yang dibentuk dari teknik implantasi ion. Implantasi ion - Ceramah - Small Group Discussion TM: 3 x 50 BT + BM = [(3 x 50) + (3 x 60)] Diskusi kelompok membandingkan teknik junction antara difusi dan implantasi Ketepatan membedakan profil junction implant dan difusi termal Keaktifan mahasiswa dalam 5%
  • 4. diskusi 11 Mengenal teknik deposisi lapisan tipis secara epitaksi, CVD dan PVD. Memahami kualitas lapisan tipis dan proses fabrikasi isolator, polysilicon gate dan lapisan metal pada IC. Deposisi lapisan tipis menggunakan CVD dan PVD - Ceramah - Small Group Discussion TM: 3 x 50 BT + BM = [(3 x 50) + (3 x 60)] Diskusi kelompok membandingkan keunggulan teknik deposisi lapisan tipis Ketepatan membedakan teknik deposisi lapisan tipis Keaktifan mahasiswa dalam diskusi 5% 12 Memahami pentingnya peran kontak dan interkoneksi agar divais yang difabrikasi menjadi rangkaian terintegrasi (IC). Kontak dan interkoneksi pada IC - Ceramah - Small Group Discussion TM: 3 x 50 BT + BM = [(3 x 50) + (3 x 60)] Diskusi kelompok mencari bahan terbaik untuk interkoneksi Ketepatan menjelaskan kinerja bahan interkoneksi Keaktifan mahasiswa dalam diskusi 5% 13 Mempelajari teknik pengemasan IC agar siap digunakan untuk berbagai aplikasi. Packaging dan Yield - Ceramah - Small Group Discussion TM: 3 x 50 BT + BM = [(3 x 50) + (3 x 60)] Diskusi kelompok mencari bentuk packaging yang popular untuk IC Ketepatan prediksi yield pada urutan fabrikasi Keaktifan mahasiswa dalam diskusi 5% 14 Menerapkan integrasi proses pada teknologi bipolar, MOSFET, MESFET, dan MEMS Integrasi proses - Ceramah - Small Group Discussion - Problem based learning TM: 3 x 50 BT + BM = [(3 x 50) + (3 x 60)] Diskusi kelompok mengurai langkah fabrikasi BJT, MOSFET, MESFET/MEMS Ketepatan merancang masker dan urutan proses Keaktifan mahasiswa dalam diskusi 5% 15 Mensimulasikan Simulasi devais - Ceramah TM: 3 x 50 Diskusi kelompok Ketepatan 5%
  • 5. langkah-langkah tahapan proses devais standar diode dan MOSFET - Small Group Discussion - Problem based learning BT + BM = [(3 x 50) + (3 x 60)] simulasi langkah fabrikasi secara menyeluruh struktur hasil simulasi Keaktifan mahasiswa dalam diskusi 16 UAS 100 15% 8. Daftar Referensi: 1. Richard C. Jaeger: Introduction to Microelectronic Fabrication, Prentice-Hall, 2002 2. G.S. May & S.M. Sze: Fundamentals of Semiconductor Fabrication, John Wiley & Son, 2004. ISBN. 9812- 53-072-X. 3. Michael Quirk, Julian Serda (2000), Semiconductor Manufacturing Technology, Prentice Hall 4. S.A. Campbell: The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication, Oxford University Press, 1996. ISBN. 0-19-510508-7