際際滷

際際滷Share a Scribd company logo

Aksiyon potansiyeli

zg端n zalay
zg端n zalay

Aksiyon potansiyellerinin oluumu, iletilmesi, kaynak ve hedef h端crede meydana getirdii deiikiliklerin fizyolojik incelemesi.

1 of 25
Aksiyon PotansiyeliAksiyon Potansiyeli zg端n zalayzg端n zalay Ege niversitesi Sinirbilim ABDEge niversitesi Sinirbilim ABD www.ozgunozalay.comwww.ozgunozalay.com
Aksiyon Potansiyeli Aksiyon potansiyelinin anahtar eleman脹 olan Voltaj Kap脹l脹 聴yon Kanallar脹 ta脹nan bilginin 巽eitlilii a巽脹s脹ndan 巽ok 旦nemli. Bu konudan 旦nce Aksiyon Potansiyeli(AP)'nin temel 4 旦zelliinden bahsedelim.
AP nin 4 Temel zellii 1) Eik seviyesi 2) Ya hep ya hi巽 3) Kay脹ps脹z ileti 4) Etkisiz periyod
Bug端n bildiklerimizi nas脹l 旦rendik? Na ve K ge巽irgenliinin AP'ne neden olduunu d端端nd端ler ve Voltaj K脹skac脹-Voltage Clamp kullanarak, deneyler yapt脹lar.
Voltaj K脹skac脹 Voltage Clamp Membran potansiyeli 旦l巽端l端r 聴stenilen deer ile kar脹lat脹r脹l脹r Deerler farkl脹ysa axona ak脹m脹 artt脹r/azalt Dengeleyici ak脹m deeri K脹sa devre (axial diren巽) Y端ksek iletken kablolar Membrandaki 聴yonik ve Kapasitif 旦zellikleri ayr脹 ayr脹 inceleme Uygulanan ak脹mlar脹n Membran Potansiyaline (Vm) etkisi kaydedilir.
Deney Sonu巽lar脹 10 mV uyar脹mda S脹z脹nt脹 Ak脹m脹 B端y端k bir depolarizasyon sonras脹 toplam ak脹m.S脹z脹nt脹 ak脹m脹 balamadan 旦nce i巽eriye doru, daha sonra d脹ar脹ya doru bir ak脹m. Tetradoxin ile Na kanallar脹 Tetraetilamonyum ile K kanallar脹 bloke edilmi B旦ylece AP'nin iki farkl脹 karakterdeki iyon kap脹s脹 taraf脹ndan temelde kontrol edildii g旦sterilmi oldu.
Na ve K kanal脹n脹 kapatan ila巽lar Na kanal blokerleri Tetradoxin ve Saxitoxin (Y端ksek affinite)-H脹zl脹 kanallar- K kanal blokerleri 4-Aminopyridine ve Tetraethylamonium (D端端k affinite)
-50 ile +75 mV aras脹 iyon dengeleri K ak脹m脹, membran potansiyeli y端kselmeye devam ettiinde artarken, Na ak脹m脹 denge potansiyeli ge巽ildiinde (>55mV) h端cre d脹脹na 巽脹kma eilimi g旦sterir.
Na Kanallar脹ndaki fark ne? Na kanallar脹n脹n K kanallar脹n脹ndan bir fark脹 da inaktivasyon s端re巽lerinin farkl脹 olmas脹d脹r. Uzun s端reli bir uyaran verildiinde, h脹zl脹 bir inaktivasyon s端recine sahip olmayan K kanallar脹 uzun s端re a巽脹k kal脹rken Na kanallar脹 inaktive oluyor. Na kanallar脹ndaki hangi sistem buna neden oluyor?
1)Dinlenme Potansiyeli Aktivasyon kap脹s脹 KAPALI 聴naktivasyon kap脹s脹 AIK 2)Aktif olduunda Aktivasyon kap脹s脹 AIK 聴naktivasyon kap脹s脹 AIK 3)聴naktive olduunda Aktivasyon kap脹s脹 AIK 聴naktivasyon kap脹s脹 KAPALI Bu ekilde Na kanallar脹, K kanallar脹na g旦re 巽ok daha h脹zl脹 inaktif olurlar. Peki Na ve K kanallar脹 birlikte nas脹l 巽al脹脹yor?
K-Na kanallar脹 K kanallar脹n脹n biraz daha ge巽 aktive olmas脹 nedeniyle AP erisi hafif saa doru kaym脹t脹r. Yine ge巽 kapanan K kanallar脹 nedeniyle hiperpolarizasyon k脹sa bir s端re i巽in, Vm dinlenme potansiyelinin alt脹na d端er(Ek deerine yakla脹r). Kanallar脹n kapanmas脹yla, membran dinlenme potansiyeline d旦ner. Mutlak etkisiz d旦nem (absolute refractory period) G旦rece etkisiz d旦nem (relative refractory period) (Yakla脹k 5-10 ms)
Peki ya eik deeri? Hereyin dereceli(graded) deiim g旦sterdii bir sistemde Eik deeri ilk bak脹ta ilgin巽 gelebilir. Asl脹nda bu olay tamamen ak脹mlar脹n birbiriyle yar脹malar脹n脹n bir sonucu. Membran depolarizasyonu artt脹k巽a i巽eriye olan Na ak脹m脹 ile birlikte d脹ar脹ya K ve S脹z脹nt脹 ak脹mlar脹 da artar. Ancak Na kanallar脹n脹n h脹zl脹 etkileri sebebiyle bir noktadan sonra; Na K L(s脹z脹nt脹) > = Eik (threshold)
Na-K nereye kadar? Sinir sistemimizde ilenen veri miktar脹n脹 ve 巽eitliliini d端端n端nce, tek ba脹na Na ve K kanallar脹 yeterli deil. Pek 巽ok sinir h端cresinde bahsettiimiz temel sistem ortak bulunsa da pek 巽ok 巽eitlilik mevcut; Voltaj kap脹l脹 Ca kanallar脹 (巽ou h端crede) Voltaj kap脹l脹 Cl kanallar脹 (baz脹 ve kas h端crelerinde) Na ve K ge巽irgen Hiperpolarize Aktive Katyon (HCN) kanallar脹 (-30-40 mV) Bunlar脹n yan脹 s脹ra her bir kanal脹nda farkl脹 巽eitleri bulunmaktad脹r. Bunlardan 4 tanesi sinir sistemi a巽脹s脹ndan 旦nemlidir; 1) Yava aktive olan K kanallar脹 2) Ca aktivasyonlu K kanallar脹 (Daha negatif potansiyellerde K ge巽iini salar) 3) A tipi K kanal脹 (Ayn脹 Na kanallar脹 gibi h脹zl脹 tepki verir) 4) M tipi K kanal脹 (K端巽端k depolarizasyon ile uyar脹l脹r, yava, ACh ile bloke olur) Bunlar脹n yan脹 s脹ra sinir sisteminde voltaj kap脹l脹 Na kanallar脹n脹n 8, Ca kanallar脹n脹n 5 ana alt-tipi mevcuttur.
Sitoplazmik etkenler Sitoplazmik fakt旦rler sinir h端cresinin uyar脹labilirliini etkileyebilir. En 旦nemli fakt旦rlerden Ca; Dinlenme halindeki bir sinir h端cresinin sitoplazmik ortamda d端端k, h端cre d脹脹 ortamda y端ksek konsantrasyonda bulunur. Depolarizasyon dalgas脹 olutuunda, membrana yak脹n y端ksek seviyede Ca varsa; H端cre i巽ine d端端k dinlenme deerinde 巽ok fazla Ca ak脹m脹 olur. Potansiyel Ca aktivasyonlu K kanallar脹 a巽脹l脹r, K ak脹m脹 oluur. Ayn脹 zamanda Ca konsantrasyonu NT sal脹n脹m脹 etkileyecektir.
N旦ronun farkl脹 b旦lgelerinin uyar脹labilirlii Dendritler; ok 巽eitli voltaj kap脹l脹 iyon kanallar脹 vard脹r (Ca,K,Na,HCN). Aktive olduklar脹nda sinaptik potansiyeli h端cre g旦vdesine iletirler. 聴letimin h脹z脹, zaman脹, ekli h端creye 旦zg端d端r. Akson tepecii; AP i巽in en d端端k eik deerine sahiptir. 端nk端 voltaj kap脹l脹 Na kanallar脹n脹n en youn olduu b旦lgedir. Ayr脹ca dinlenme potansiyelinin k端巽端k farkl脹lamalar脹na tepki g旦steren iyon kanallar脹 mevcuttur. Sinir h端cresinin farkl脹 b旦lgelerinde farkl脹 uyar脹lma sistemleri aktiftir.
Farkl脹 Tip N旦ronlar脹n Uyar脹labilirlii Voltaj kap脹l脹 kanallar aras脹nda K kanallar脹 en fazla 巽eitlilik g旦sterir. Farkl脹 tip n旦ronlar脹n uyar脹labilirliini belirlemede K kanallar脹 anahtar rol oynar. N旦ronun ta脹d脹脹 kanallar脹n kompozisyonundaki 巽eitlilii (kanallar脹n birbirine oran脹) de uyar脹labilirlii etkiler. Baz脹 n旦ronlar sadece tek bir AP ile uyar脹l脹rken baz脹 n旦ronlar脹 uyarmak i巽in spike train tipinde bir uyar脹 gerekebilir. rn: Baz脹 Ca ve HCN kanallar脹n脹n bulunmas脹 pacemaker uyar脹lar脹n olumas脹na neden olur (stimulusun olmad脹脹 zamanlarda bile uyar脹labilirlik). ou n旦ron artan uyarana tepkiyi azalt脹rken, baz脹 h端creler (duyma sistemimizdeki) 巽ok k脹sa etkisiz d旦nem ge巽irip y端ksek frekanslara h脹zl脹 bir ekilde duyarl脹 hale gelebiliyor.(h脹zl脹 voltaj kap脹l脹 K kanallar脹 sayesinde)
A tipi K kanallar脹 Hiperpolarize durumda gecikmi cevap Ca kanallar脹 Hiperpolarizasyon dan sonra h脹zl脹 reaktive olan kanallar 20 mV potansiyelden sonra seri ateleme yapar. M tipi K kanallar脹 + NT M tipi kanallar seri atelemeye izin vermezken ACh ile M tipi kanallar bloke oluyor ve seri ateleme izlenir. HCN ve Ca kanallar脹 Thalamocortical yoldaki n旦ronlar, uyar脹 olmadan spontan AP olutururlar.
Bu kanallar nas脹l a巽脹l脹yor? Yap脹lan patch-clamp 巽al脹malar脹nda verilen uyar脹lara (Ip) farkl脹 Na kanallar脹n脹n farkl脹 zamanlarda farkl脹 iddette tepki verdii g旦r端lm端. Ancak 旦nemli olan nokta hepsinin Ya hep ya hi巽 eklinde tepki vermesi. Kanallar脹n sadece a巽脹k ve kapal脹 durumlar脹 mevcut, arada bir ge巽irgenlikleri yok. Sinyal 巽eitlilii, kanal脹n 旦zelliklerinden 巽ok h端crede bulunan farkl脹 tip voltaj kap脹l脹 kanal脹n bulunmas脹ndan kaynaklan脹yor.
Bu kanallar nas脹l a巽脹l脹yor? Depolarizasyon uyguland脹脹nda Na ak脹m脹na ters y旦nde bir g ak脹m脹(gating) olutuu g旦zlenmi. Bu da kanal i巽indeki (+) y端kl端, aktivasyon kap脹s脹n脹 a巽an bir par巽ac脹脹n hareketini salar. Membran potansiyelindeki deiikliklere g旦re bu par巽ac脹k aktivasyon kap脹s脹n脹n a巽脹lmas脹n脹 salar.
K,Na ve Ca kanallar脹 akraba m脹? T端m voltaj kap脹l脹 katyon kanallar脹 g旦zenek eklinde, herbiri 6 transmembrane-segmenti olan, 留-alt 端nitelere sahiptir (S1-S6). 7. bir P maddesi S5-S6 aras脹ndad脹r ve kanal脹n se巽ici filtresi g旦revini yapar. (+) y端kl端 S4 segmenti voltaj sens旦r端 olabilir mi? Na ve Ca kanallar脹nda polipeptid zinciri halinde K kanallar脹 4 alt 端niteden ve tek bir g旦zenekten oluuyor.
X-I脹n脹 Cyrstallographic al脹malar K kanallar脹 端zerinde yap脹lm脹. 2 b旦l端mden oluuyor; 1) Periferde, voltaj alg脹layan S1-S4 2) Merkezde, g旦zenek(pore) oluturan S5-P-S6 S6 helixinin a巽脹k kalmas脹 i巽in Glycin molek端l端ne tutunabilecei d端端n端l端yor. Baka bir soru da; Membran 端zerinde f脹rt脹nalar koparken bu kanallar nas脹l adapte oluyor?
Aksiyon potansiyeli
Kanal tiplerinin 巽eitlilii ve genetik mekanizmalar Farkl脹 n旦ronlar脹n geni 旦l巽ekli AP oluturma mekanizmalar脹, ve tek bir n旦ronun farkl脹 girdilere uygun yeni AP kal脹plar脹 oluturmas脹, sinir sisteminde 巽ok 巽eitli iyon kanallar脹n脹n var olmas脹ndan kaynaklanmaktad脹r. Sadece K i巽in bile, 巽ok farkl脹 tiplerde (M tipi, A tipi, Ca aktivasyonlu), farkl脹 membran potansiyellerine duyarl脹 ve farkl脹 NT mod端lat旦rl端 pek 巽ok voltaj-kap脹l脹 kanal vard脹r. Voltaj-kap脹l脹 kanallar脹n bu 巽eitliliinden 5 旦nemli mekanizma sorumludur; 1) Tek bir kanal脹n alt-端nitelerini birden fazla gen kodlayabilir (Memelilerde Na i巽in 8 farkl脹 gen g旦sterilmi). 2) K kanal脹n脹n 4 alt 端nitesi farkl脹 genler taraf脹ndan kodlanabilir. 3) Tek bir gen par巽alanarak alt-端niteleri kodlayan mRNA 'da varyasyona neden olabilir. 4) Alt-端nite kodlayan RNA, kimyasal modifikasyona urayabilir, etkilenen tek n端kleotid, ilgili amino asidin alt-端nitedeki kompoziyonu deitirecektir. 5) Bir tip alt-端nite, dier ek(accessory) alt 端niteler ile birleebilir.
Aksiyon potansiyeli
Aksiyon potansiyeli

More Related Content

Aksiyon potansiyeli

  • 1. Aksiyon PotansiyeliAksiyon Potansiyeli zg端n zalayzg端n zalay Ege niversitesi Sinirbilim ABDEge niversitesi Sinirbilim ABD www.ozgunozalay.comwww.ozgunozalay.com
  • 2. Aksiyon Potansiyeli Aksiyon potansiyelinin anahtar eleman脹 olan Voltaj Kap脹l脹 聴yon Kanallar脹 ta脹nan bilginin 巽eitlilii a巽脹s脹ndan 巽ok 旦nemli. Bu konudan 旦nce Aksiyon Potansiyeli(AP)'nin temel 4 旦zelliinden bahsedelim.
  • 3. AP nin 4 Temel zellii 1) Eik seviyesi 2) Ya hep ya hi巽 3) Kay脹ps脹z ileti 4) Etkisiz periyod
  • 4. Bug端n bildiklerimizi nas脹l 旦rendik? Na ve K ge巽irgenliinin AP'ne neden olduunu d端端nd端ler ve Voltaj K脹skac脹-Voltage Clamp kullanarak, deneyler yapt脹lar.
  • 5. Voltaj K脹skac脹 Voltage Clamp Membran potansiyeli 旦l巽端l端r 聴stenilen deer ile kar脹lat脹r脹l脹r Deerler farkl脹ysa axona ak脹m脹 artt脹r/azalt Dengeleyici ak脹m deeri K脹sa devre (axial diren巽) Y端ksek iletken kablolar Membrandaki 聴yonik ve Kapasitif 旦zellikleri ayr脹 ayr脹 inceleme Uygulanan ak脹mlar脹n Membran Potansiyaline (Vm) etkisi kaydedilir.
  • 6. Deney Sonu巽lar脹 10 mV uyar脹mda S脹z脹nt脹 Ak脹m脹 B端y端k bir depolarizasyon sonras脹 toplam ak脹m.S脹z脹nt脹 ak脹m脹 balamadan 旦nce i巽eriye doru, daha sonra d脹ar脹ya doru bir ak脹m. Tetradoxin ile Na kanallar脹 Tetraetilamonyum ile K kanallar脹 bloke edilmi B旦ylece AP'nin iki farkl脹 karakterdeki iyon kap脹s脹 taraf脹ndan temelde kontrol edildii g旦sterilmi oldu.
  • 7. Na ve K kanal脹n脹 kapatan ila巽lar Na kanal blokerleri Tetradoxin ve Saxitoxin (Y端ksek affinite)-H脹zl脹 kanallar- K kanal blokerleri 4-Aminopyridine ve Tetraethylamonium (D端端k affinite)
  • 8. -50 ile +75 mV aras脹 iyon dengeleri K ak脹m脹, membran potansiyeli y端kselmeye devam ettiinde artarken, Na ak脹m脹 denge potansiyeli ge巽ildiinde (>55mV) h端cre d脹脹na 巽脹kma eilimi g旦sterir.
  • 9. Na Kanallar脹ndaki fark ne? Na kanallar脹n脹n K kanallar脹n脹ndan bir fark脹 da inaktivasyon s端re巽lerinin farkl脹 olmas脹d脹r. Uzun s端reli bir uyaran verildiinde, h脹zl脹 bir inaktivasyon s端recine sahip olmayan K kanallar脹 uzun s端re a巽脹k kal脹rken Na kanallar脹 inaktive oluyor. Na kanallar脹ndaki hangi sistem buna neden oluyor?
  • 10. 1)Dinlenme Potansiyeli Aktivasyon kap脹s脹 KAPALI 聴naktivasyon kap脹s脹 AIK 2)Aktif olduunda Aktivasyon kap脹s脹 AIK 聴naktivasyon kap脹s脹 AIK 3)聴naktive olduunda Aktivasyon kap脹s脹 AIK 聴naktivasyon kap脹s脹 KAPALI Bu ekilde Na kanallar脹, K kanallar脹na g旦re 巽ok daha h脹zl脹 inaktif olurlar. Peki Na ve K kanallar脹 birlikte nas脹l 巽al脹脹yor?
  • 11. K-Na kanallar脹 K kanallar脹n脹n biraz daha ge巽 aktive olmas脹 nedeniyle AP erisi hafif saa doru kaym脹t脹r. Yine ge巽 kapanan K kanallar脹 nedeniyle hiperpolarizasyon k脹sa bir s端re i巽in, Vm dinlenme potansiyelinin alt脹na d端er(Ek deerine yakla脹r). Kanallar脹n kapanmas脹yla, membran dinlenme potansiyeline d旦ner. Mutlak etkisiz d旦nem (absolute refractory period) G旦rece etkisiz d旦nem (relative refractory period) (Yakla脹k 5-10 ms)
  • 12. Peki ya eik deeri? Hereyin dereceli(graded) deiim g旦sterdii bir sistemde Eik deeri ilk bak脹ta ilgin巽 gelebilir. Asl脹nda bu olay tamamen ak脹mlar脹n birbiriyle yar脹malar脹n脹n bir sonucu. Membran depolarizasyonu artt脹k巽a i巽eriye olan Na ak脹m脹 ile birlikte d脹ar脹ya K ve S脹z脹nt脹 ak脹mlar脹 da artar. Ancak Na kanallar脹n脹n h脹zl脹 etkileri sebebiyle bir noktadan sonra; Na K L(s脹z脹nt脹) > = Eik (threshold)
  • 13. Na-K nereye kadar? Sinir sistemimizde ilenen veri miktar脹n脹 ve 巽eitliliini d端端n端nce, tek ba脹na Na ve K kanallar脹 yeterli deil. Pek 巽ok sinir h端cresinde bahsettiimiz temel sistem ortak bulunsa da pek 巽ok 巽eitlilik mevcut; Voltaj kap脹l脹 Ca kanallar脹 (巽ou h端crede) Voltaj kap脹l脹 Cl kanallar脹 (baz脹 ve kas h端crelerinde) Na ve K ge巽irgen Hiperpolarize Aktive Katyon (HCN) kanallar脹 (-30-40 mV) Bunlar脹n yan脹 s脹ra her bir kanal脹nda farkl脹 巽eitleri bulunmaktad脹r. Bunlardan 4 tanesi sinir sistemi a巽脹s脹ndan 旦nemlidir; 1) Yava aktive olan K kanallar脹 2) Ca aktivasyonlu K kanallar脹 (Daha negatif potansiyellerde K ge巽iini salar) 3) A tipi K kanal脹 (Ayn脹 Na kanallar脹 gibi h脹zl脹 tepki verir) 4) M tipi K kanal脹 (K端巽端k depolarizasyon ile uyar脹l脹r, yava, ACh ile bloke olur) Bunlar脹n yan脹 s脹ra sinir sisteminde voltaj kap脹l脹 Na kanallar脹n脹n 8, Ca kanallar脹n脹n 5 ana alt-tipi mevcuttur.
  • 14. Sitoplazmik etkenler Sitoplazmik fakt旦rler sinir h端cresinin uyar脹labilirliini etkileyebilir. En 旦nemli fakt旦rlerden Ca; Dinlenme halindeki bir sinir h端cresinin sitoplazmik ortamda d端端k, h端cre d脹脹 ortamda y端ksek konsantrasyonda bulunur. Depolarizasyon dalgas脹 olutuunda, membrana yak脹n y端ksek seviyede Ca varsa; H端cre i巽ine d端端k dinlenme deerinde 巽ok fazla Ca ak脹m脹 olur. Potansiyel Ca aktivasyonlu K kanallar脹 a巽脹l脹r, K ak脹m脹 oluur. Ayn脹 zamanda Ca konsantrasyonu NT sal脹n脹m脹 etkileyecektir.
  • 15. N旦ronun farkl脹 b旦lgelerinin uyar脹labilirlii Dendritler; ok 巽eitli voltaj kap脹l脹 iyon kanallar脹 vard脹r (Ca,K,Na,HCN). Aktive olduklar脹nda sinaptik potansiyeli h端cre g旦vdesine iletirler. 聴letimin h脹z脹, zaman脹, ekli h端creye 旦zg端d端r. Akson tepecii; AP i巽in en d端端k eik deerine sahiptir. 端nk端 voltaj kap脹l脹 Na kanallar脹n脹n en youn olduu b旦lgedir. Ayr脹ca dinlenme potansiyelinin k端巽端k farkl脹lamalar脹na tepki g旦steren iyon kanallar脹 mevcuttur. Sinir h端cresinin farkl脹 b旦lgelerinde farkl脹 uyar脹lma sistemleri aktiftir.
  • 16. Farkl脹 Tip N旦ronlar脹n Uyar脹labilirlii Voltaj kap脹l脹 kanallar aras脹nda K kanallar脹 en fazla 巽eitlilik g旦sterir. Farkl脹 tip n旦ronlar脹n uyar脹labilirliini belirlemede K kanallar脹 anahtar rol oynar. N旦ronun ta脹d脹脹 kanallar脹n kompozisyonundaki 巽eitlilii (kanallar脹n birbirine oran脹) de uyar脹labilirlii etkiler. Baz脹 n旦ronlar sadece tek bir AP ile uyar脹l脹rken baz脹 n旦ronlar脹 uyarmak i巽in spike train tipinde bir uyar脹 gerekebilir. rn: Baz脹 Ca ve HCN kanallar脹n脹n bulunmas脹 pacemaker uyar脹lar脹n olumas脹na neden olur (stimulusun olmad脹脹 zamanlarda bile uyar脹labilirlik). ou n旦ron artan uyarana tepkiyi azalt脹rken, baz脹 h端creler (duyma sistemimizdeki) 巽ok k脹sa etkisiz d旦nem ge巽irip y端ksek frekanslara h脹zl脹 bir ekilde duyarl脹 hale gelebiliyor.(h脹zl脹 voltaj kap脹l脹 K kanallar脹 sayesinde)
  • 17. A tipi K kanallar脹 Hiperpolarize durumda gecikmi cevap Ca kanallar脹 Hiperpolarizasyon dan sonra h脹zl脹 reaktive olan kanallar 20 mV potansiyelden sonra seri ateleme yapar. M tipi K kanallar脹 + NT M tipi kanallar seri atelemeye izin vermezken ACh ile M tipi kanallar bloke oluyor ve seri ateleme izlenir. HCN ve Ca kanallar脹 Thalamocortical yoldaki n旦ronlar, uyar脹 olmadan spontan AP olutururlar.
  • 18. Bu kanallar nas脹l a巽脹l脹yor? Yap脹lan patch-clamp 巽al脹malar脹nda verilen uyar脹lara (Ip) farkl脹 Na kanallar脹n脹n farkl脹 zamanlarda farkl脹 iddette tepki verdii g旦r端lm端. Ancak 旦nemli olan nokta hepsinin Ya hep ya hi巽 eklinde tepki vermesi. Kanallar脹n sadece a巽脹k ve kapal脹 durumlar脹 mevcut, arada bir ge巽irgenlikleri yok. Sinyal 巽eitlilii, kanal脹n 旦zelliklerinden 巽ok h端crede bulunan farkl脹 tip voltaj kap脹l脹 kanal脹n bulunmas脹ndan kaynaklan脹yor.
  • 19. Bu kanallar nas脹l a巽脹l脹yor? Depolarizasyon uyguland脹脹nda Na ak脹m脹na ters y旦nde bir g ak脹m脹(gating) olutuu g旦zlenmi. Bu da kanal i巽indeki (+) y端kl端, aktivasyon kap脹s脹n脹 a巽an bir par巽ac脹脹n hareketini salar. Membran potansiyelindeki deiikliklere g旦re bu par巽ac脹k aktivasyon kap脹s脹n脹n a巽脹lmas脹n脹 salar.
  • 20. K,Na ve Ca kanallar脹 akraba m脹? T端m voltaj kap脹l脹 katyon kanallar脹 g旦zenek eklinde, herbiri 6 transmembrane-segmenti olan, 留-alt 端nitelere sahiptir (S1-S6). 7. bir P maddesi S5-S6 aras脹ndad脹r ve kanal脹n se巽ici filtresi g旦revini yapar. (+) y端kl端 S4 segmenti voltaj sens旦r端 olabilir mi? Na ve Ca kanallar脹nda polipeptid zinciri halinde K kanallar脹 4 alt 端niteden ve tek bir g旦zenekten oluuyor.
  • 21. X-I脹n脹 Cyrstallographic al脹malar K kanallar脹 端zerinde yap脹lm脹. 2 b旦l端mden oluuyor; 1) Periferde, voltaj alg脹layan S1-S4 2) Merkezde, g旦zenek(pore) oluturan S5-P-S6 S6 helixinin a巽脹k kalmas脹 i巽in Glycin molek端l端ne tutunabilecei d端端n端l端yor. Baka bir soru da; Membran 端zerinde f脹rt脹nalar koparken bu kanallar nas脹l adapte oluyor?
  • 23. Kanal tiplerinin 巽eitlilii ve genetik mekanizmalar Farkl脹 n旦ronlar脹n geni 旦l巽ekli AP oluturma mekanizmalar脹, ve tek bir n旦ronun farkl脹 girdilere uygun yeni AP kal脹plar脹 oluturmas脹, sinir sisteminde 巽ok 巽eitli iyon kanallar脹n脹n var olmas脹ndan kaynaklanmaktad脹r. Sadece K i巽in bile, 巽ok farkl脹 tiplerde (M tipi, A tipi, Ca aktivasyonlu), farkl脹 membran potansiyellerine duyarl脹 ve farkl脹 NT mod端lat旦rl端 pek 巽ok voltaj-kap脹l脹 kanal vard脹r. Voltaj-kap脹l脹 kanallar脹n bu 巽eitliliinden 5 旦nemli mekanizma sorumludur; 1) Tek bir kanal脹n alt-端nitelerini birden fazla gen kodlayabilir (Memelilerde Na i巽in 8 farkl脹 gen g旦sterilmi). 2) K kanal脹n脹n 4 alt 端nitesi farkl脹 genler taraf脹ndan kodlanabilir. 3) Tek bir gen par巽alanarak alt-端niteleri kodlayan mRNA 'da varyasyona neden olabilir. 4) Alt-端nite kodlayan RNA, kimyasal modifikasyona urayabilir, etkilenen tek n端kleotid, ilgili amino asidin alt-端nitedeki kompoziyonu deitirecektir. 5) Bir tip alt-端nite, dier ek(accessory) alt 端niteler ile birleebilir.