用于ESD分析的传输线脉冲测试 （Transmission Line Pulse - TLP Measurement） 元件级
1 like3,438 views
本文介绍了静电放电（贰厂顿）的定义、研究意义及其防护方法，强调了贰厂顿对电子产物的潜在损害以及通过传输线脉冲（罢尝笔）测试来评估和改进贰厂顿抗扰度的重要性。同时，文中详细阐述了罢尝笔测试的标准、应用及对各种贰厂顿保护元件的测试方法和注意事项。
用于ESD分析的传输线脉冲测试 （Transmission Line Pulse - TLP Measurement） 元件级
- 1. 2015.01.23版 Wei Huang, Jerry Tichenor Web: www.esdemc.com Email: info@esdemc.com Tel: (+1) 573-202-6411 Fax: (+1) 877-641-9358 Address: 4000 Enterprise Drive, Suite 103, Rolla, MO, 65401 用于ESD分析的传输线脉冲测试 （Transmission Line Pulse - TLP Measurement） 元件级
- 3. 什么是ESD？ ESD的定义 ? 静电放电（Electrostatic Discharge - ESD) 是两个物体间的电荷转移。当两个物体直接接触，或 相互靠近发生介质击穿时，会产生静电放电。 3 注意：例子中的电压值相当高，部分在某些极端情况下可能发生。 不同相对湿度（RH）生成静电电压实例 静电生成方式 10%-25% RH 65%-90% RH 人在地毯上走动 35,000V 1,500V 人在乙烯树脂地板上走动 12,000V 250V 人在工作台上操作 6,000V 100V 从工作台上上拿起普通聚乙烯袋 20,000V 1,200V 从垫有聚氨基甲酸泡沫的工作椅上站起 18,000V 1,500V 表1 静电产生实例（来源：ESD Association)
- 4. 我们为何关注ESD？ ESD的研究意义 ? 电路设计的潜在ESD损坏可能导致： ? 产物质量差 ? 用户不满 ? 维修和返工费用上涨 ? 电击穿，氧化击穿，以及由于元件不能及时散热造成的局部过热，都会造成元件的 永久性损坏。 4 来源: 2005 ESD/EOS 会议论文
- 5. 我们为何关注ESD？ 硬件故障 – ESD造成的IC损伤 5 Picture 5 15kV静电电击后的RS-232接口IC
- 7. 我们为何关注ESD？ 硬件故障 - ESD造成的IC损伤 7 Picture 7 电气过应力(Electrostatic Over Stress - EOS)损坏
- 8. 如何进行ESD防护？ ESD防护方法 1. 受控环境1 ? 减少潜在的电荷积聚 ? 设备和家具接地 ? 清洁房间 -- 控制湿度和颗粒粉尘 ? 这类措施对电子产物终端用户（例如消费电子的用户）无效。 Picture 8 ESD 友好的工作环境 8
- 9. 如何进行ESD防护？ ESD防护方法 2. 改善系统ESD抗扰度 ? 了解电子系统的工作环境和潜在的ESD风险 ? 仔细考虑系统的ESD防护设计! (请参考System Level ESD - White Paper 1,2,3 - Industry Council on ESD Target Levels, http://esda.org/IndustryCouncil.html) ? 了解关键元件的ESD敏感度 ? 测试并选择ESD薄弱点的最佳防护方案 ? 测试并进一步改善系统级ESD抗扰度 设计师需要掌握不同类型ESD测试的关键数据。 TLP测试可以为ESD设计提供很多重要数据！ Graph 1 Graph 2 9
- 10. 如何进行ESD抗扰度测试？ ESD抗扰度测试 ? 人体模型(Human Body Model - HBM) 2 ? 带电人体接触受试设备(DUT) ? ANSI/ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2010 ? 对地测试电压4000V, 电流< 3A (也可用8000V ) ? 皮肤放电(IEC 61000-4-2标准是手持金属放电) 10对地放电，上升时间(tr) – 2 to 10ns 对地放电，衰减时间(td) – 130 to 170ns Picture 9
- 11. 如何进行ESD抗扰度测试？ ESD抗扰度测试 ? 机器模型(Machine Model - MM) 3 (MM 模型很少用到) ? 带电机器对设备放电，在生产过程中可能发生 ? ESD STM5.2-2012 ? 400V测试电压 ? 对地放电电流< 7A 11 对地放电，脉冲主周期(tpm) – 66 to 90ns Graph 3
- 12. 如何进行ESD抗扰度测试？ ESD抗扰度测试 ? 带电器件模型(Charged Device Model - CDM) 4 ? 带电器件对其他金属部件或对地平面放电，例如集成电路装配时可能发生 ? ESD S5.3.1-2009 ? 器件由导电平板充电 ? 为非接触式放电，例如，当接地物体向带电引脚靠近时，会发生CDM放电 ? 测试电压达2000V ? 放电电流达30A (验证模块电容为4pF, 260ps 上升时间) 12 上升时间 (tr) – ~200ps, 脉冲宽度(50%-50%) (td) - ~400ps Graph 4 CDM 测试装置
- 13. 如何进行ESD抗扰度测试？ ESD抗扰度测试 ? IEC 61000-4-2标准:2008版 5 ? 带电人体持金属对受试系统设备（DUT）放电 ? 系统级测试 13 4kV接触式放电，理想电流波形 IEC 测试装置 EUT
- 14. 如何进行ESD抗扰度测试？ ESD抗扰度测试 ? 人体金属模型(Human Metal Model - HMM) 6 ? 充电人体手持金属放电 ? ANSI/ESD SP5.6-2009 ? 元件级测试，与IEC 61000-4-2类似 ? 电流波形参数与IEC 61000-4-2标准相同 ? TLP 50Ω 系统测试更具可靠性，并可同时自动进行故障检测。 14 50W Coaxial Source Setup Setup A Setup B
- 15. 什么是TLP测试？ 什么是TLP测试？ ? 传输线脉冲(Transmission-Line Pulse - TLP) 测试是一种通过测量时域的电流电压来 研究集成电路及其特性的ESD测试方法。 ? 历史: ? 由于对电磁脉冲环境感兴趣， Wunsch 和 Bell 于20世纪60年代研究了半导体结的 脉冲功率故障7。 ? 20世纪60年代，Bradley, Higgins等人用带电传输线生成了矩形波8。 ? 20世纪80年代， Maloney和Khurana提出了用传输线脉冲对ESD建模9。 ? 第一台商用TLP系统由Barth Electronics在20世纪90年代中期提出10。 15
- 16. TLP标准 什么是TLP测试？ TLP标准 ? 标准TLP (STM5.5.1-2014) ? 0.2 至 10ns 上升时间 ? 10ns 至 ms级脉冲宽度(典型值为100ns) ? 至少200MHz带宽示波器 ? 至少200MHz带宽电压探头 ? 至少200MHz带宽电流探头 ? 超快TLP (SP5.5.2-2007) ? 典型值： <= 200ps 上升时间 ? 1ns - 10ns 脉冲宽度 ? 至少2.5GHz带宽，5Gsa/s采样率示波器 ? 至少1GHz带宽电压探头 ? 至少2GHz带宽电压探头 16
- 17. 什么是TLP测试？ 什么是TLP测试？ ? TLP脉冲发生器基本结构：长度为L的充电线(TL1)，开关(S1)和高压电源(Vo) 。 ? 充电线长度决定脉冲宽度 ? 标准TLP的典型值为100ns脉冲宽度，1ns上升时间 ? 逐步增加脉冲幅度，直至DUT出现故障或达到 最大电压 ? DUT故障通常通过测量DC漏电流来判断 ? 通常取脉冲时间70%-90%区域（测量窗口）的 测量值来获取I-V曲线。 17 t I(t) t V(t) IDUT VDUT I V I V Measurement Window Graph 5
- 18. 什么是TLP测试？ 什么是TLP测试？ ? TVS二极管I-V 特性曲线测量(测量窗口：70% 至 90% 脉冲时间) 18 测量窗口(70% 至 90% 脉冲时间)
- 19. 什么是TLP测试？ 什么是TLP测试？ ? TVS二极管I-V 特性曲线测量(70% 至 90% 脉冲时间) ? 100ns 脉宽 19 Semtech uClamp0541Z 数据表 ESDEMC TLP 测试结果
- 20. 什么是TLP测试？ 什么是TLP测试？ ? 超快TLP测试: TVS二极管的开启特性 （脉冲开始的几个纳秒） 20 DUT电阻-时间-脉冲电压瀑布图 6V TLP脉冲 DUT电阻值上限取决于绘图 目的
- 21. 什么是TLP测试？ 标准TLP的典型应用 1. 用TLP获取I-V曲线，例如，保护器件的动态阻抗 （动态阻抗定义：I-V曲线的dV/dI) 动态阻抗是ESD保护器件一个非常重要的参数。 动态阻抗越低，表明更多的ESD电流会流经保护器件，更少的电流会流经被保护设备。 ? 瞬态电压抑制器（TVS） – 几百mΩ至几Ω ? 多层压敏电阻 – 对于低电容设备，有几Ω或更高的阻抗 21 Rdyn = (Vt2 – Vt1)/(It2 – It1) 0 5 10 15 20 25 0 5 10 15 20 25 TLP Voltage (V) TLPCurrent(A) RDYN = dV/dI = Vt2 - Vt1 / It2 - It1
- 22. 什么是TLP测试？ 标准TLP的典型应用 2. 用TLP和故障自动检测装置测试DUT的ESD抗扰度/敏感度 系统/IC/模块的ESD抗扰度通常由不同ESD测试装置来进行评估。由瞬时高能量造成的故障可以通过上升时间/脉冲宽 度受控的TLP脉冲或者RC电路向50欧姆系统放电得到。TLP测试结果可用于估测HBM, IEC61000-4-2，HMM的失效 等级。 ESD热失效相关*(注意): TVS IEC 1 kV level = 2 A , 100 ns TLP pulse level IC HBM 1 kV level = 1.5 A, 100 ns TLP pulse level 请参考TLP测试用法的相关文献，不同设备的敏感性不同！ Correlation between transmission-line-pulsing I-V curve and human-body-model, Jon Barth, John Richner ESD Relations between system level ESD and (vf-)TLP, T. Smedes, J. van Zwol, G. de Raad, T. Brodbeck, H. Wolf A TLP-based Human Metal Model ESD-Generator for Device Qualification according to IEC 61000-4-2 Yiqun Cao 1, David Johnsson 1, Bastian Arndt 2 and Matthias Stecher Pitfalls when correlating TLP, HBM and MM testing, Guido Notermans, Peter de Jong and Fred Kuper A Failure Levels Study of Non-Snapback ESD Devices for Automotive Applications, Yiqun Cao , Ulrich Glaser , Stephan Frei and Matthias Stecher Correlation Between TLP, HMM, and System-Level ESD Pulses for Cu Metallization, Y. Xi, S. Malobabic, V. Vashchenko, and J. Liou Capacitive Coupled TLP (CC-TLP) and the Correlation with the CDM, Heinrich Wolf, Horst Gieser, Karlheinz Bock , Agha Jahanzeb, Charvaka Duvvury, Yen-Yi Lin ….. (please check for your device and applications) 注意： 1. 标准TLP不提供类似IEC61000-4-2标准脉冲的第一个峰，所以由第一个峰引起的设备故障不能用TLP测试检测 。超快TLP可以提供上升时间短、脉宽窄的矩形脉冲，可用来进行此类测试。 2. 标准TLP是基于50欧姆阻抗的，而其他ESD模型基于不同的阻抗系统，所以设备完全开启之前的电压可能会有很 大不同，从而导致不同的失效类型。 22
- 23. N沟道 MOSFET的snapback测量 100ns TLP：100ns 脉宽，<=200ps 上升时间, TDR叠加测量 (入射波反射波的方法） Snapback是由于DUT的动态阻抗在100ns脉宽应力作用下变化导致的。 TLP的典型应用 3. 测试设备的I-V曲线，确定设备的安全工作区 Snapback
- 24. N沟道MOSFET的电安全工作区 安全工作区(Safe operating area - SOA) 是元件的一个重要电气特性，用来表征元件的ESD/EOS瞬 态限制。
- 25. 什么是TLP测试？ 标准TLP的典型应用 4. 表征器件的开启/关断瞬态特性 (3D 瀑布图) 例如，ESD保护器件的响应速度 5. 表征器件充电的恢复效果 例如，二极管的反向和正向恢复 6. 表征瞬态脉冲下器件的线性特性 例如，高电压下的电容变化 7. 表征设备的击穿特性 例如，触摸板传感器微带线在静电放电时的火花和熔断。 8. 表征共模扼流圈和以太网变压器的饱和特性 9. 测量多层电容器电容的非线性特性.... ? 注意，TLP还有许多系统级应用，将会在另一个PPT中说明，如果需要，请与我们联系。 25
- 26. 什么是TLP测试？ 什么是TLP测试 ? 超快TLP(Very Fast TLP, VF-TLP) ? 通常用来表征设备的钳位速度和栅氧化层穿通 ? 脉冲宽度非常窄 (< 10ns) ? 上升时间小于脉冲宽度的15% (100ps to 500ps) at least? Or less than? ? 超快TLP测量装置（通常由低损延迟线和T型宽带电压传感器，或宽带定向耦合器，或一对 离DUT距离非常近的宽带定向电流和电压探头等组 ) 可以单独并精确的测量入射和反射波 ? 需要使用频域电缆损耗去耦合 26 Graph 6 A Typical VF-TLP Measurement Setup with Delay Line
- 27. ESDEMCTECHNOLOGYLLC ESDEMC ES621 设备产生的超快TLP波形：60 ps 上升时间，1ns 脉宽 使用18GHz Cable/ATT + 23 GHz/100Gs Scope Tek MSO 72304DX测量得到 超快TLP脉冲
- 28. ? 使用TLP检测ESD保护电路可通过的峰值电压和钳位电压 ? 峰值电压是对脉冲上升/下降沿速率的初始响应 ? 钳位电压是保护器件完全开启并钳位后的输出电压 ? 一些器件对短时峰值电压敏感（高电场强度），因此两个参数对了解设备敏感度和设计最 佳ESD保护方案都很重要。 Peak Clamping TLP测试
- 29. ESD抗扰度测试VS.TLP测试 ESD抗扰度测试 vs. TLP 测试 (脉冲参数) 29 HBM MM IEC (2nd Peak) IEC (1st Peak) CDM 典型最大电压值* 4000V 400V 8kV (接触式) 2000V 典型最大电流值* < 3A (对地) < 7A (对地) 16A (@30ns) 30A 30A 上升时间* 2 – 10ns ~ns – 10ns ~ns 800ps < 200ps 脉宽* 130 – 170ns 66 – 90ns ~100ns ~5ns < 400ps 对应的TLP类型 标准TLP 标准TLP 标准TLP 超快TLP 超快TLP 典型失效模式 结点损伤，金属 渗透，金属层熔 化，接触点打火， 栅氧化物损伤11 结点损伤，熔化， 栅氧化物损伤11 熔化失效 氧化穿透 栅氧化物损伤，, 电荷俘获，结点 损伤11 * 典型值在各相关标准中有注明.
- 30. TLP测试VS.其他ESD测试的优点 TLP测试 VS.其他ESD测试的优点 ? 波形定义明确 ? ESD发生器的标准中，电路和波形的定义都有太多不确定因素（没有测试路径的阻抗控制， 只有特性时间内30%的容差…….）。这使得不同的ESD发生器在不同的测试条件下会得到非 常不同的ESD测试结果。TLP脉冲的波形干净一致。 ? 测试装置可重复性高 ? 手持ESD发生器可能导致测试装置的不一致，然而，TLP测试的夹具能够提供更易控制的测 试装置。 ? 自动快速测试，测量，生成报告！ ? 通常，TLP测试有全自动化控制的脉冲，DC漏电流，I-V 曲线实时更新和故障自动检测。 ? 能够记录设备特性，为ESD分析和设计提供重要信息 ! ? 从TLP测试中可以提取设备的许多有用瞬态特性信息，可用于设备的分析，建模和系统级 ESD设计(System-Efficient ESD Design – SEED)。而传统的ESD测试只能得到用于 Pass/Fail的结果。 30
- 31. 测试步骤 一般测试步骤 ? 校准: （仅当测试装置改变时需要）短路-开路-齐纳-负载 (SOZL, Short – Open – Zener – Load) ? 短路和开路测量分别提供串联和并联电阻值 ? 齐纳和负载测量分别提供电压和电流修正系数 ? 每个数月或当测试装置改变时，需要进行校准This calibration should be performed every few months or if equipment is changed ? 测试标准件 ? 测量一个已知设备或器件，用于验证测试系统的正确性 ? 生成报告 ? 脉冲宽度 ? 上升时间 ? 故障类别和等级（DC漏电流，熔断，snapback) ? 出现故障时的TLP脉冲电压，DUT测试端口电压和电流 ? 可提供动态阻抗 ? Snapback (eSOA) 31
- 32. 采购注意事项 TLP系统配置注意事项 ? 什么情况下需要TLP测试？ ? 评估ESD保护器件性能（比较动态阻抗Rdyn和钳位速度） ? 评估设备和模块的ESD失效等级 ? 当需要不同的脉冲形状(TLP, HMM, HBM …)，脉冲宽度，上升时间 或者不同的电流注 入等级(40A, 90A, 160A …)时，可使用TLP测试 ? 评估安全工作区域 ? TLP可提供各种不同范围的脉冲宽度和注入等级 ? 触摸板的击穿和熔断敏感度 ? TLP可提供不同的脉冲注入和测量 ? 需要配置什么设备？ ? 脉冲发生器 —— 生成 TLP / VF-TLP / HMM / HBM 等… ? 设备测量探头 —— PCB对应的SMA接头，IC测试夹具，探针台 ? 单端接地或差分注入 —— 高压带宽分离器和反相器 ? 电流和电压测量方法 —— 探头直接测量 ? 瞬态数据获取 —— 示波器（带宽由应用范围决定） ? 偏置和直流测量—— SMU(source measurement unit)/电源/皮安表 32
- 33. TLP系统比较 商业TLP 系统规格比较 ? 标准TLP系统 ? 常用规格： 2kV开路电压/ 40A短路电流 ? ESDEMC公司目前可提供高达7kV / 140A 的TLP系统,是世界上脉冲注入和IV曲线测量 规格最高的系统 ? 其他生产商能提供的最高规格：4kV / 80A, 或者 2kV / 40A ? 超快TLP系统 ? 常用规格： 注入等级达到1kV / 20A, 有<=100ps的干净，快速，稳定的上升时间，宽范围 模拟测量带宽（2.5 ~ 4GHz)以及数字频率补偿。 ? ESDEMC公司目前可提供的 超快TLP系统 ： ? TLP脉冲可达1kV / 20A，上升时间 为60ps或者5 kV / 100 A， 上升时间为 200ps ? 高达6GHz模拟带宽测量，以及网络分析仪S参数所有端口频率补偿算法 33
- 34. ESDEMCTECHNOLOGYLLC 2011 IV-TLP系统开始研发 2013 达到顶级规格 2014 最好的IV-TLP系统之一 规格/功能 ESDEMC ES620/ES621 其他公司的系统 最快上升时间 约60ps (世界最快) 100 ps, 200 ps 最长脉冲宽度 2000 us (1ms正在研发中) 1600 us, 400 ns 最大注入电流等级 160 A 80 A, 40A, 30A… 标准2D IV曲线分析 可以 可以 先进的3D IVT曲线分析 可以，目前是唯一一家 不可以，需要进行额外分析 电压测量方法 电阻直接测量，重叠TDR测量，非重叠TDR测量 通常只有1-2种 电流测量方法 电阻直接测量，电阻率方程，电感直接测量，重叠 TDR，非重叠TDR 通常只有1-2种 错误校验方法 SOLZ校验, 所有端口S参数频率补偿, 触发定时校 准 SOLZ校验 差分TLP脉冲和IV测试 可以，目前是唯一一家 不可以 世界顶级规格TLP动态IV曲线测量系统
- 35. TLP系统比较 TLP测试的常见问题 ? TLP系统的价格是多少? ? 大多数商用TLP系统目前价格为8万至25万美元 ? ESDEMC公司提供ES620超便携低价版系统，价格约为4万至10万美金（相同规格系统 的价格是其他供应商的1/2） ? ESDEMC承诺，当与其他商家的TLP系统价格相同时，我们的系统更好 ? 客户能用自己的设备配置TLP系统吗？ ? 大多数商用TLP系统不支持多种仪器配置，但ESDEMC公司的TLP软件兼容度高，客户可选择 使用自己的仪器进行配置 (Agilent, Tek, Lecroy, Rigol, Keithley等…)。你只需点击几下，进 行设置更改即可！ 35
- 36. TLP系统比较 TLP测试的常见问题 ? TLP系统需要多大的带宽？ ? 带宽取决于你所测量的IV窗口。大多数测量使用100ns TLP脉冲，若选取100ns脉 冲的70%-90%时间窗口测量动态阻抗和脉冲失效等级，需要的带宽为200MHz。 ESDA TLP标准测试需要更高带宽范围。 ? 如果你想测量脉冲注入的前几个ns时的设备特性，则需使用超快TLP发生器，它可 产生干净稳定的上升沿，此时，推荐使用4GHz – 8GHz带宽的示波器。 36
- 37. TLPSYSTEMSCOMPARISON 谢谢! ? 如果您有对于ESD测试和应用的任何问题，请与我们联系info@esdemc.com，我 们乐意为您提供帮助！ ? 我们会持续更新PPT内容，并提供免费咨询。我们会发放最新技术说明和每季度促销 信息，如果需要，请订阅。 ? 接下来，是ESDEMC Technology公司介绍 37
- 38. 我们致力于ESD/EMC解决方法，为您量身打造HV/RF系统设计 创立于2011年, 美国，密苏里，罗拉 ES/ESD Solution EMC Test Solution HV System Design RF System Design 我们将会是本领域最好的商业解决方案提供商之一 by ESD/EMC Engineers, for ESD/EMC Engineers
- 39. ESDEMCTECHNOLOGYLLC 发展成果(2011.03 至今) 静电放电/瞬态 ?世界顶级规格传输线脉冲系统 (TLP/VFTLP) ?世界首个商用 电缆放电系统(Cable Discharge Event - CDE) ?ESD发生器，ESD电流靶，适配线 ?其他附加功能… 电磁兼容/射频 ?微波材料表征系统 (5-22 GHz) ?IC strip TEM 室 (4kV/ DC-5.5 GHz) ?宽带射频放大器 (高达40 GHz) ?宽带功率放大器(4GHz/25W ) ?其他附加功能… 其他主要产物 ?宽带高压脉冲衰减器 (对称的, 4kV / 3.5GHz) ?示波器ESD抑制器 (高达6 GHz) ?高压脉冲差分分离器(1MHz to 2GHz) ?更多了解，请访问ESDEMC.COM网站
- 41. 公司的成长(2011 to 2013) ESDEMCTECHNOLOGYLLC Niche: Solutions by ESD/EMC experts, innovative & flexible, focused on ESD/EMC design, analysis and debugging Growth: 2010.09 Business setup in Founder’s home 2011.03 to now Group of 5 professionals ESDEMC公司地理位置优越，我们与世界顶级EMC学术研究实验室MST EMC为 邻。 About 40% each year
- 42. ESDEMC Group @ 2012 IEEE EMC Symposium Oh, I have a new idea ... We are growing … I can do it … We can improvise… Fredric Stevenson Business/Technical Development Wei Huang Founder/Owner Chief Design Engineer David Pommerenke Chief Technology Consultant Jerry Tichenor Design Application Engineer
- 43. REFERENCES 参考 1. Martin Rodgaard, 2007, ESD – Electrostatic Discharge, Retrieved Jan 13, 2015 from: http://hibp.ecse.rpi.edu/~connor/education/Surge/Presentations/ESD_mr.pdf 2. ESDA/JEDEC Joint Standard for Electrostatic Discharge Sensitivity Testing - Human Body Model (HBM) – Component Level, ANSI/ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2010, April 2010. 3. ESD Association Standard Test Method for Electrostatic Discharge Sensitivity Testing - Machine Model – Component Level, ESD STM5.2-2012, July 2013. 4. ESD Association Standard for Electrostatic Discharge Sensitivity Testing - Charge Device Model (CDM) – Component Level, ESD S5.3.1- 2009, December 2009. 5. International Electrotechnical Commission, Electromagnetic Compatibility (EMC) – Part 4-2: Testing and measurement techniques – Electrostatic discharge immunity test, IEC 61000-4-2:2008, 2008. 6. ESD Association Standard Practice for Electrostatic Discharge Sensitivity Testing - Human Metal Model (HMM) – Component Level, ANSI/ESD SP5.6-2009, September 2009. 7. D.C. Wunsch and R.R. Bell, “Determination of Threshold Failure Levels of Semiconductor Diodes and Transistors due to Pulse Voltages,” IEEE Trans. Nuc. Sci., NS-15, pp. 244-259, 1968. 8. D.J. Bradley, J.F. Higgins, M.H. Key and S. Majumdar, “A Simple Laser-triggered Spark Gap for Kilovolt Pulses of Accurately Variable Timing,” Opto-Electronics Letters, vol. 1, pp. 62-64, 1969. 9. T.J. Maloney and N. Khurana, “Transmission Line Pulsing Techniques for Circuit Modeling of ESD Phenomena,” 1985 EOS/ESD Symposium Conference Proceedings, pp. 49 -54, 1985. 10. W. Simburger, “AN 210 Effective ESD Protection Design at System Level Using VF-TLP Characterization Methodology,” Infineon Application Note 210, Revision 1.3, December 2012. 11. D. Byrd, T. Kugelstadt, 2011, Understanding and Comparing the Differences in ESD Testing, Retrieved Jan 14 2015 from: http://www.edn.com/design/test-and-measurement/4368466/Understanding-and-comparing-the-differences-in-ESD-testing 43
- 44. REFERENCESCONT’D 参考 Cont’d Graph 1 & 2: (n.a.), 2013, How to Select Transient Voltage Suppressors (TVS Diode)?, Retrieved Jan 13 2015 from: http://www.completepowerelectronics.com/tvs-diode-selection-tutorial/ Graph 3 & 4: D. Byrd, T. Kugelstadt, 2011, Understanding and Comparing the Differences in ESD Testing, Retrieved Jan 14 2015 from: http://www.edn.com/design/test-and-measurement/4368466/Understanding-and-comparing-the-differences-in-ESD-testing Graph 5 & 6: Reference 10 Picture 1: Eric Puszczewicz, 2011, Electrostatic Discharge - ESD Basics and Protection, Retrieved Jan 13 2015 from: http://www.slideshare.net/ericpuszczewicz/esd-basics-by-transforming-technologies Picture 2: Ron Kurtus, 2015, Static Electricity Sparks, Retrieved Jan 13 2015 from: http://www.school-for- champions.com/science/static_sparks.htm#.VLU51yvF9MY Picture 3: K. Vermeer, 2011, Static dissipative ESD footware, Retrieved Jan 15 2015 from: http://electronics.stackexchange.com/questions/23107/static-dissipative-esd-footware Picture 4: (n.a.), (n.d.), Anti-Static Design – ESD Protection, Retrieved Jan 15 2015 from: http://www.ecs.com.tw/ECSWebSite/Product/Product_Detail.aspx?DetailID=1446&MenuID=17&LanID=0 Picture 5: (n.a), 2000, Maxim Leads the Way in ESD Protection, Retrieved Jan 15 2015 from: http://www.maximintegrated.com/en/app- notes/index.mvp/id/639 Picture 6: T. G. Nagy, (n.d.), Effective ESD Transient Voltage Surge Suppression in New, High Speed Circuits, Retrieved Jan 15 2015 from: http://www.compliance-club.com/archive/old_archive/020930.htm Picture 7: P. Yu, 2010, Component Failure Analysis – Hermetic Packaging, Retrieved Jan 15 2015 from: http://www.empf.org/empfasis/2010/Apr10/help-410.html Picture 8: P. Corr, 2014, Laser Diodes: Laser diode operation 101: A user’s guide, Retrieved Jan 15 2015 from: http://www.laserfocusworld.com/articles/print/volume-50/issue-03/features/laser-diodes-laser-diode-operation-101-a-user-s- guide.html Picture 9: S. Pefhany, 2014, FET Electrostatic Damage, Retrieved Jan 15 2015 from: http://electronics.stackexchange.com/questions/97605/fet-electrostatic-damage 44