ºÝºÝߣ

ºÝºÝߣShare a Scribd company logo
Cihat  ?ahin FET TRANS?ST?RLER ?N?N?  ?N?VERS?TES?  ?ZEL ??RET?M Y?NTEMLER? SUNUSU 2011
TRANS?ST?R  NED?R? ?ki P tipi madde aras?na N tipi madde veya iki N tipi madde ars?na P tipi madde konularak elde edilen elektronik devre elaman?na transist?r denir. Transist?rde yar? iletken maddeyi biraraya getirmek i?in farkl? metodlar kullan?lar. Bu metodlar kullan?larak yap?lan transist?rler ; -  Nokta temasl? transist?rler -  Y¨¹zey temasl? transist?rler -  Ala??m veya yay?lma yoluyla yap?lan transist?rler
Genelde elektronik devrelerde y¨¹zey temasl? transist?rler kullan?l?r. Y¨¹zey temasl? transist?rler ise ; -  NPN  transist?r -  PNP transist?r  lerdir
Transist?r¨¹n her bir terminaline i?levlerinden ?t¨¹r¨¹; Emiter ( E miter), Beyz ( B ase) ve Kolekt?r ( C ollector) adlar? verilir. Bu terminaller; genelde E, B ve C harfleri ile sembolize edilirler.
B?R  TRANS?ST?R?N  ?AL??MAS?  ???N  GEREKL?  ?ARTLAR Transist?r¨¹n ?al??abilmesi i?in; beyz-emiter jonksiyonu do?ru y?nde, beyzkolekt?r jonksiyonu ise ters y?nde polarmaland?r?lmal?d?r. Bu ?al??ma bi?imine transist?r¨¹n aktif b?lgede ?al??mas? denir.
Beyz ak?m? olmadan, emiter-kolekt?r jonksiyonlar?ndan ak?m akmaz. Transist?r kesimdedir. Farkl? bir ifadeyle; beyz ak?m? k¨¹?¨¹k olmas?na ra?men transist?r¨¹n ?al??mas? i?in ?ok ?nemlidir. PN jonksiyonlar?n?n karakteristikleri transist?r¨¹n ?al??mas?n? belirler. ?rne?in; transist?r, VBE olarak tan?mlanan beyz-emiter jonksiyonuna do?ru y?nde bir ba?lang?? gerilimi uygulanmas?na gereksinim duyar. Bu gerilimin de?eri silisyum transist?rlerde 0.7V, germanyum transist?rlerde ise 0.3V civar?ndad?r.
TRANS?ST?RLER?N ?AL??MA B?LGES? Aktif B?lge :  Transist?r¨¹n aktif b?lgesi; beyz ak?m?n?n s?f?rdan b¨¹y¨¹k (IB>0) ve kolekt?r-emiter geriliminin 0V¡¯dan b¨¹y¨¹k (VCE>0V) oldu?u b?lgedir. Transist?r¨¹n aktif b?lgede ?al??abilmesi i?in beyz-emiter jonksiyonu do?ru, kolekt?r-beyz jonksiyonu ise ters y?nde polarmalan?r. Bu b?lgede transist?r¨¹n ??k?? ak?m? ?ncelikle beyz ak?m?na, k¨¹?¨¹k bir miktarda VCE gerilimine ba??ml?d?r. Do?rusal y¨¹kselte? tasar?m? ve uygulamalar?nda transist?r genellikle bu b?lgede ?al??t?r?l?r.
(Transist?r¨¹n kesim b?lgesinde ?al??mas?)  (Transist?r¨¹n doyum b?lgesinde ?al??mas?) (a)  (b) Kesim B?lgesi :  Transist?r¨¹n kesim b?lgesinde nas?l ?al??t??? ?ekil (a) yard?m?yla a??klanacakt?r. ?ekilde g?r¨¹ld¨¹?¨¹ gibi transist?r¨¹n beyz ak?m? IB=0 oldu?unda, beyzemiter gerilimi de VBE=0V olaca?? i?in devrede kolekt?r ak?m? (IC) olu?mayacakt?r. Bu durumda transist?r kesimdedir. Kolekt?r-emiter jonksiyonlar? ?ok y¨¹ksek bir diren? de?eri g?sterir ve ak?m akmas?na izin vermez. Transist?r¨¹n kolekt?r-emiter gerilimi VCE, besleme gerilimi VCC de?erine e?it olur. Kolekt?rden sadece IC0 ile belirtilen ?ok k¨¹?¨¹k bir ak?m akar. Bu ak?ma  ¡°s?z?nt? ak?m?¡±  denir. S?z?nt? ak?m? pek ?ok uygulamada ihmal edilebilir.
(a)  (b) Doyum B?lgesi :  Transist?r¨¹n doyum (saturation) b?lgesinde ?al??ma ?ekil b yard?m?yla a??klanacakt?r. Transist?re uygulanan beyz ak?m? art?r?ld???nda kolekt?r ak?m? da artacakt?r. Bu i?lemin sonucunda transist?r¨¹n VCE gerilimi azalacakt?r. ?¨¹nk¨¹ IC ak?m?n?n artmas? ile RC y¨¹k direnci ¨¹zerindeki gerilim d¨¹?¨¹m¨¹ artacakt?r. Kolekt?r-emiter gerilimi doyum de?erine ula?t???nda (VCE(DOY)) beyz-emiter jonksiyonu do?ru y?nde polarmalanacakt?r. Sonu?ta IB de?eri daha fazla y¨¹kselse bile IC ak?m? daha fazla artmayacakt?r. Doyum b?lgesinde ?al??an bir transist?r¨¹n kolekt?r-emiter gerilimi VCE yakla??k 0V civar?ndad?r. Bu de?er genellikle VCE(DOY)=0V olarak ifade edilir.
?ekil-1
FET  TRANS?ST?RLER
Alan etkili transist?r yani k?saca fet  (field effect transist?r) 3 u?lu bir grup yar? iletken devre eleman?n?n genel ad?d?r.
Alan etkili transist?r ; jonksiyon fet (JFET)  yada metal oksitli yar? iletken JFET (MOSFET) olarak ismilendirilir. Her iki tip transist?r¨¹nde n ve p kanall? olmak ¨¹zere iki ?e?idi bulunmaktad?r. N kanall? transist?rlerde iletim , elektronlarla P kanall? transist?rlerde ise bo?luklarla(hole) sa?lan?r.
FETLER?N ?ZELL?KLER? G¨¹r¨¹lt¨¹ (parazit) oranlar? ?ok d¨¹?¨¹kt¨¹r. Ak?mlar? ?s? ile fazla de?i?mez. Giri? ve ??k?? empedanslar? al?ak frekanslarda ?ok y¨¹ksektir. Ancak, ?al??ma frekanslar? y¨¹kseldik?e bu de?er d¨¹?er.
KULLANIM  ALANLARI Osilat?rler, al?c? ve vericilerinradyofrekans ve al?ak frekansradyofrekans ve al?ak  frekanskatlar?, VHF y¨¹kselte?ler, ?l?¨¹katlar?, VHF y¨¹kselte?ler, ?l?¨¹aletleri, mikserler, otomatik  kazan?aletleri, mikserler, otomatik kazan?kontrol devreleri vb.kontrol devreleri vb.
JFET  TRANS?ST?RLER
JFET  YAP?S?  VE  ?AL??MAS? JFET  3 uca sahiptir. U?lar?na i?levlerinden ?t¨¹r¨¹  Gate  ,  Source  ve  Drain  isimleri verilmi?tir. JFET  sembol¨¹nde  gate ucunda bulunan okun y?n¨¹ transist?r¨¹m¨¹z¨¹n  n veya p kanall? oldu?unu g?sterir. Ok y?n¨¹ i?eri do?ruysa n kanall? JFET , d??ar? do?ruysa p kanall? JFET olarak isimlendirilir.
Ge?it(gate)  : n- tipi  ?ubu?un sa? ve sol yanlar?nda bir pn eklemi olu?turmak i?in dispersiyon veya  bir ba?ka y?ntemle  yo?un bir ?ekilde  al?c? atomlar?yla katk?lanm?? b?lgedir. Kaynak(source ) : ?o?unluk y¨¹k ta??y?c?lar?n?n yar? ileyken ?ubu?a girdikleri u?tur. Aka?(drain)  :?o?unluk y¨¹k ta??y?c?lar?n?n yar? iletken ?ubu?u terk ettikleri u?tur. Kanal  : ?ki ge?it aras?nda kalan ve ?o?unluk y¨¹k ta??y?c?lar?n?n kaynaktan aka?a ge?tikleri b?lgeye denir.
Drain, R L  y¨¹k direnci ¨¹zerinden V DD  drain g¨¹? kayna??n?n pozitif terminaline, Source V DD  'nin negatif terminaline irtibatland?r?l?r. Gate, V GG  g¨¹? kayna??n?n negatif terminaline ba?lan?r. Bu irtibatla Gate-Source p-n eklemi ters bayaslanm??t?r yani polarmaland?r?lm??t?r. Gate p- maddesinden olu?tu?u i?in V GG  g¨¹? kayna??n?n (-) terminali gate 'e, (+) terminali source 'a ba?lanarak ters polarma sa?lanm??t?r. Gate 'in ters polarmalanmas?yla devreden akan gate ak?m? son derece k¨¹?¨¹k de?erdeki bir ters ak?md?r. ?ekil-2 JFET LER?N ?ALI?MASI
I D  drain ak?m?, JFET ¨¹zerinde source 'den drain 'e do?ru akar. (Ak?m?n, g¨¹? kaynaklar?n?n (-) terminalinden, (+) terminale dola?t??? kabul edilmi?tir.) ?lk durumda V GG  g¨¹? kayna??n?n olmad???n?, gate ucunun do?rudan ?aseye ba?l? oldu?unu d¨¹?¨¹nelim, Bu durumda V GG =0V oldu?u i?in Gate-Source aras? voltaj da (V GS ) 0 Volt 'tur. Bu anda I D  ak?m?, n-tipi maddenin direnci ve R L  taraf?ndan limitlenir. JFET ¨¹zerinden drain ak?m? (I D ) arttk?a n-madde par?as? boyunca bu gerilim d¨¹?¨¹m¨¹ meydana gelir. Bu gerilim, source 'a g?re pozitif olup, gate p-n eklemini ters polarmalanm??t?r.
p-n eklemi ters polarmaland??? her durumda, eklem civar?nda; i?inde ak?m ta??y?c?lar? bulunmayan bir bo?luk b?lgesi (eklem setti) meydana gelir. Bu durum ?ekil 3 ¡®de p maddelerinin ?evresinde g?sterilmi?tir. p maddelerinin ?evresindeki bo?luk b?lgesinde ak?m ta??y?c?lar? olmad???ndan I D  drain ak?m? akamaz. B?ylece, drain k?sm? bo?luk b?lgeleri aras?ndaki sahada s?n?rland?r?lm?? olunur. Bu b?lge kanal olarak adland?r?l?r. V DD  kaynak voltaj? artt?k?a drain ak?m? da artar. Fakat bu art?? do?rusal de?ildir. Bu art???n do?rusal olmamas?n?n nedeni, gate p-n eklemindeki ters polarmalanmas?n?n artmas?ndand?r.  ?ekil-3
?ekil 3 ¡®de V DD  = 4 Volt iken bo?luk b?lgesi ile V DD  = 6 Volt iken bo?luk b?lgesinin durumu g?r¨¹lmektedir. V DD  drain kaynak voltaj?n?n daha fazla artt?r?lmas? (V DD  = 6V) ?ekil 3 ¡®de g?r¨¹ld¨¹?¨¹ gibi bo?luk b?lgelerinin birbirine daha fazla yakla?mas?na neden olur. B?yle bir durumda drain kaynak voltajn?n daha fazla artt?r?lmas? I D  drain al?m?nda ?ok az bir art?? meydana getirir.
B?ylece drain ak?m? saturasyona (doyum) ula?m?? olur. Drain ak?m?n?n saturasyon de?erine ula?t??? noktaya PINCH - OFF noktas? denir. Pimch - off nokas?na kritik gerilim ad? da verilebilir. V P  ile g?sterilir. Bu de?er n-kanall? JFET 'te negatif, p-kanall? da ise pozitif de?erdir. ?ekil 4 'te g?sterilen karakteristik e?rinin yatay ekseni Drain - source aras? voltaj?, dikey ekseni ise I D  drain ak?m?n? g?sterir ?ekil-4(Ak?m ¨C Gerilim karekteristi?i)
FET LER?N KULLAN?LD???  BAZ? DURUMLAR
K???K B? ?RNEK ??ZEL?M??? JFET Devresinin kazanc?n? hesaplayal?m?
A -kv C A>> DC ak?mdan gelen sbt -kv>> Kazan? C>> Bozunma terimi
MOSFET  TRANS?ST?RLER
?ekil 5 'te taban malzeme (g?vde) p-tipi madde al?nm??t?r. Bu p-tipi maddenin uygun yerlerinde N tipi b?lgeler olu?turulmu? ve aralar?na ince bir kanal yerle?tirilmi?tir. Bu yap?n?n ¨¹st¨¹ silikon oksit tabakas? ile tamamen kaplanm??t?r. Ancak bu tabakan?n havadaki sodyumdan etkilenebilece?inden bunun ¨¹zeri ikinci tabaka olan silikon nitrat ile kapat?lm??t?r. N-maddelerinden ??kart?lan u?lar?n ad?; Drain ve Source u?lar?, silikon tabakalar?ndan delik a??larak metalik irtibat sa?lanm??t?r. Drain ve Source u?lar?, N-tipi b?lge ile do?rudan irtibatl? oldu?u halde Gate ucu yar?iletkenden yal?t?lm??, izole edilmi? haldedir. Burada gate ucuna uygulanan gerilim s?f?r volt oldu?unda drain ve source u?lar? aras?nda belirli bir ak?m akar. MOSFETLER?N  YAP?S? VE ?AL??MAS? ?ekil-5 Azalan tip mosfet
?¨¹nk¨¹, drain ve source birbiriyle irtibatl?d?r. Gate terminaline (+) gerilim uyguland???nda, N-tipi maddeler aras?nda mevcut olan kanal geni?leyece?inden D-S aras?ndan ge?en ak?m artar. Gate terminaline (-) gerilim uyguland???nda kanal daralarak ak?m azal?r. ?ekil 5 'de kanal N-tipi maddeden yap?ld??? i?in n-kanall? azalan tip Mosfet 'tir. Kanal p-tipi maddeden de yap?labilir.
D-S aras?ndan ge?en ak?m kanaldan ge?er. Gate 'e uygulanan gerilim ile kanaldan ge?en ak?m kontrol edilir. n-kanall? azalan tip Mosfet 'te gate ile source (-), drain (+) polaritedir. Azalan tip Mosfet 'te gate voltaj? s?f?r iken drain ak?m? vard?r. Gate 'e uygulanan (-) voltajla kanal iletkenli?i azalmakta, kanal direnci artmakta dolay?s?yla kanaldan ge?en ak?m azalmaktad?r. Kanal iletkenli?i dolay?s?yla ak?m azald??? i?in  azalan tip Mosfet olarak adland?r?l?r.
?o?alan tip Mosfet 'in azalan tipten fark? iki N-tipi b?lgenin aras?nda kanal olmamas?d?r. Burada da Source (S) ve Drain (D) u?lar?, N-tipi b?lgelerle do?rudan temas halinde olduklar? halde Gate (G) ucu yar?iletken malzemeden izole edilmi? durumdad?r. G ucuna herhangi bir gerilim uygulanmad??? s¨¹rece S ve D u?lar? aras?ndan bir ak?m akmaz. G ucunun bulundu?u metal par?a ile P-tipi g?vde bir kondansat?r ?zelli?i g?sterir. ?¨¹nk¨¹, iki iletken bir yal?tkan kondansat?r¨¹ meydana getirir. G ucuna (+) gerilim uyguland???nda, kapasite ?zelli?inden dolay? P-tipi g?vde de iki N-maddenin yan?nda (-) y¨¹kler toplan?r. (?ekil 7). B?ylece iki N-tipi madde aras?nda do?al olarak bir kanal olu?ur. Bu durmda ak?m ak??? ba?lar. Gate 'e uygulanan (+) gerilimin artt?r?lmas? halinde, iki N-tipi madde aras?nda olu?an (-) y¨¹kler ?o?alarak P-tipi g?vde i?erisinde olu?an bu kanal?n geni?lemesine sebebiyet verir. B?ylece S ve D u?lar? aras?nda akan ak?m, gate 'e uygulanan gerilim ile kontrol edilebilir. Gate ucuna gerilim uygulanmad??? s¨¹rece S ve D aras?ndan ak?m akmaz. ?o?alan tip mosfet ?ekil-6 ?ekil-7
MOSFETLER?N  KARAKTER?ST?KLER?
n - kanall? Azalan Tip MOSFET Devre Ba?lant?s? p- kanall? Azalan Tip MOSFET Devre Ba?lant?s? ?ekil-8(a) ?ekil-8(b) AZALAN T?P MOSFETLER
?ekil 9 (a) 'da ise drain karakteristi?i, (b) 'de ise transfer karakteristi?i g?sterilmi?tir. I D -V DS  (drain) karakteristi?inde, hem pozitif, hem de negatif gate-source (V GS ) gerilimi ile ?al??t?r?lm??t?r. V GS  'nin negatif de?eri artt?r?ld??? taktirde, belli bir gerilimde art?k drain ak?m? akmaz. Bu gerilime, kapama-k?sma-kritik gerilim denir. ?ekil 9 (a) 'da nokta nokta olarak ?izilen k e?risine kadar, herbir e?ri V P  (pinch-off) gerilimine ula??ncaya kadar drain ak?m? da artar. Bu de?erden sonra, gerilim art???na ra?men ak?m sabittir. ?ekil-9(a)-Azalan Tip MOSFET 'in I D -V DS  Statik Karakteristik E?risi (n - kanall? ) ?ekil-9(b)- Azalan Tip MOSFET 'in Transfer Karakteristi?i (n - kanall?) N-KANALLI
?ekil-10(a)-Azalan Tip MOSFET 'in I D -V DS  Statik Karakteristik E?risi (p - kanall? ) ?ekil-10(b)- Azalan Tip MOSFET 'in Transfer Karakteristi?i (p - kanall?) P-KANALLI
p ¨C kanall? ?o?alan Tip MOSFET Devre Ba?lant?s? n ¨C kanall? ?o?alan Tip MOSFET Devre Ba?lant?s? ?OGALAN T?P MOSFETLER
Bu tip Mosfet 'lerde kap?-kaynak gerilimi V T  e?ik gerilim de?erini a??ncaya kadar drain ak?m? akmaz. Bu e?ik gerilim de?erini a?an pozitif gerilimler, artan bir drain ak?m?na yol a?acakt?r. Transfer karakteristi?inin denklemi, I D  = k (V GS -V T ) 2 Bu denklemde k de?eri, eleman?n yap?s?na ili?kin bir de?er olup tipik olarak 0,3 mA/V 2  de?erindedir. V GS  = 0 Volt durumunda hi? drain ak?m? akmayaca??ndan I DSS  de?eri de olmayacakt?r. ?ekil-12(a)  n - kanall? ?o?alan Tip MOSFET 'in Drain Karakteristi?i ?ekil-12(b)  n - kanall? ?o?alan Tip MOSFET 'in Transfer Karakteristi?i N-KANALLI
?ekil 13 (a) ve (b) 'de p-kanall? ?o?alan tip Mosfet 'in drain ve transfer karakteristi?i g?sterilmi?tir. Gate ucuna uygulanan negatif gerilim azalt?lmas? halinde drain ak?m? akmayacakt?r. Yine di?er elemanlarda oldu?u gibi, belli bir voltaj de?erinden sonra, voltaj?n artmas?na re?men ak?m artmayacakt?r. Bu noktaya saturasyon ad? verilir. Kap?-kaynak gerilimi V T  e?ik gerilimi a??l?nca drain ak?m? akar. ?o?alan tip Mosfet 'ler daha k¨¹?¨¹k ?l?¨¹lerde ve basit yap?da olmas?ndan dolay?, entegre devreler i?in uygun bir elemanlard?r. ?ekil 13(a) - p - kanall? ?o?alan Tip MOSFET 'in Drain Karakteristi?i ?ekil 13(b) p - kanall? ?o?alan Tip MOSFET 'in Transfer Karakteristi?i P-KANALLI
TE?EKK?R EDER?M¡­ SON
?
Ad

Recommended

Lecture_8_DC_Motor_1.pptx
Lecture_8_DC_Motor_1.pptx
RyanAnderson41811
?
Presentation of Electrical Engineering ( Maximum Power Transfer Theorem )
Presentation of Electrical Engineering ( Maximum Power Transfer Theorem )
MohitRaghav19
?
Amplifiers with feedback
Amplifiers with feedback
arfin97
?
Impedance in transmission line
Impedance in transmission line
RCC Institute of Information Technology
?
Unit1 And 2 Sample Solutions
Unit1 And 2 Sample Solutions
Abha Tripathi
?
AM Radio Receiver with Automatic Gain Control Unit
AM Radio Receiver with Automatic Gain Control Unit
Cem Recai ??rak
?
1-§æ to 1-§æ Cycloconverter ppt
1-§æ to 1-§æ Cycloconverter ppt
Utsav Yagnik
?
A review on_load_flow_studies_final_2
A review on_load_flow_studies_final_2
yareda6
?
Elect principles 2 dc transients (inductive)
Elect principles 2 dc transients (inductive)
sdacey
?
Simulation based minor project on Buck converter( DC to Dc step down Converter)
Simulation based minor project on Buck converter( DC to Dc step down Converter)
Ashutosh Singh
?
Switched capacitor circuits_shish
Switched capacitor circuits_shish
Shishira S Venkatesha
?
Speed control of IM using Space Vector Modulation
Speed control of IM using Space Vector Modulation
Asif Jamadar
?
Communication Systems_B.P. Lathi and Zhi Ding (Lecture No 4-9)
Communication Systems_B.P. Lathi and Zhi Ding (Lecture No 4-9)
Adnan Zafar
?
DIRECT TORQUE CONTROL OF THREE PHASE INDUCTION MOTOR USING FOUR SWITCH THREE ...
DIRECT TORQUE CONTROL OF THREE PHASE INDUCTION MOTOR USING FOUR SWITCH THREE ...
smadhumitha
?
1 ak?m trafolar?
1 ak?m trafolar?
ka_ka
?
Size Of Signal
Size Of Signal
Nishant Kumar
?
IC fmaillies.ppt
IC fmaillies.ppt
NarendrakumarAnnadur
?
RF Module Design - [Chapter 8] Phase-Locked Loops
RF Module Design - [Chapter 8] Phase-Locked Loops
Simen Li
?
Differential amplifier
Differential amplifier
Arpit Raval
?
Chapter4 - The Continuous-Time Fourier Transform
Chapter4 - The Continuous-Time Fourier Transform
Attaporn Ninsuwan
?
Power amplifiers
Power amplifiers
mofassair
?
5 slides
5 slides
Gopi Saiteja
?
PA linearity
PA linearity
Pei-Che Chang
?
Chapter 4 synchronous machine
Chapter 4 synchronous machine
mkazree
?
PID Control
PID Control
Vijay Anand Velmurugan
?
Filters
Filters
Arafat Jamil
?
Fir and iir filter_design
Fir and iir filter_design
shrinivasgnaik
?
Eca unit 2
Eca unit 2
Pavan Mukku
?
Lehimleme ve bask? devre
Lehimleme ve bask? devre
Erol Dizdar
?

More Related Content

What's hot (20)

Elect principles 2 dc transients (inductive)
Elect principles 2 dc transients (inductive)
sdacey
?
Simulation based minor project on Buck converter( DC to Dc step down Converter)
Simulation based minor project on Buck converter( DC to Dc step down Converter)
Ashutosh Singh
?
Switched capacitor circuits_shish
Switched capacitor circuits_shish
Shishira S Venkatesha
?
Speed control of IM using Space Vector Modulation
Speed control of IM using Space Vector Modulation
Asif Jamadar
?
Communication Systems_B.P. Lathi and Zhi Ding (Lecture No 4-9)
Communication Systems_B.P. Lathi and Zhi Ding (Lecture No 4-9)
Adnan Zafar
?
DIRECT TORQUE CONTROL OF THREE PHASE INDUCTION MOTOR USING FOUR SWITCH THREE ...
DIRECT TORQUE CONTROL OF THREE PHASE INDUCTION MOTOR USING FOUR SWITCH THREE ...
smadhumitha
?
1 ak?m trafolar?
1 ak?m trafolar?
ka_ka
?
Size Of Signal
Size Of Signal
Nishant Kumar
?
IC fmaillies.ppt
IC fmaillies.ppt
NarendrakumarAnnadur
?
RF Module Design - [Chapter 8] Phase-Locked Loops
RF Module Design - [Chapter 8] Phase-Locked Loops
Simen Li
?
Differential amplifier
Differential amplifier
Arpit Raval
?
Chapter4 - The Continuous-Time Fourier Transform
Chapter4 - The Continuous-Time Fourier Transform
Attaporn Ninsuwan
?
Power amplifiers
Power amplifiers
mofassair
?
5 slides
5 slides
Gopi Saiteja
?
PA linearity
PA linearity
Pei-Che Chang
?
Chapter 4 synchronous machine
Chapter 4 synchronous machine
mkazree
?
PID Control
PID Control
Vijay Anand Velmurugan
?
Filters
Filters
Arafat Jamil
?
Fir and iir filter_design
Fir and iir filter_design
shrinivasgnaik
?
Eca unit 2
Eca unit 2
Pavan Mukku
?
Elect principles 2 dc transients (inductive)
Elect principles 2 dc transients (inductive)
sdacey
?
Simulation based minor project on Buck converter( DC to Dc step down Converter)
Simulation based minor project on Buck converter( DC to Dc step down Converter)
Ashutosh Singh
?
Speed control of IM using Space Vector Modulation
Speed control of IM using Space Vector Modulation
Asif Jamadar
?
Communication Systems_B.P. Lathi and Zhi Ding (Lecture No 4-9)
Communication Systems_B.P. Lathi and Zhi Ding (Lecture No 4-9)
Adnan Zafar
?
DIRECT TORQUE CONTROL OF THREE PHASE INDUCTION MOTOR USING FOUR SWITCH THREE ...
DIRECT TORQUE CONTROL OF THREE PHASE INDUCTION MOTOR USING FOUR SWITCH THREE ...
smadhumitha
?
1 ak?m trafolar?
1 ak?m trafolar?
ka_ka
?
RF Module Design - [Chapter 8] Phase-Locked Loops
RF Module Design - [Chapter 8] Phase-Locked Loops
Simen Li
?
Differential amplifier
Differential amplifier
Arpit Raval
?
Chapter4 - The Continuous-Time Fourier Transform
Chapter4 - The Continuous-Time Fourier Transform
Attaporn Ninsuwan
?
Power amplifiers
Power amplifiers
mofassair
?
Chapter 4 synchronous machine
Chapter 4 synchronous machine
mkazree
?
Fir and iir filter_design
Fir and iir filter_design
shrinivasgnaik
?

Viewers also liked (9)

Lehimleme ve bask? devre
Lehimleme ve bask? devre
Erol Dizdar
?
Smd elemanlar ve ?ipsetler
Smd elemanlar ve ?ipsetler
Erol Dizdar
?
T¨¹mle?ik devreler
T¨¹mle?ik devreler
Erol Dizdar
?
Mazeretleri y?karak ba?ar?l? olmak
Mazeretleri y?karak ba?ar?l? olmak
Erol Dizdar
?
Mosfet
Mosfet
Pooja Shukla
?
3.bipolar junction transistor (bjt)
3.bipolar junction transistor (bjt)
firozamin
?
Mosfet
Mosfet
Then Murugeshwari
?
Metal Oxide Semiconductor Fet (Mosfet)
Metal Oxide Semiconductor Fet (Mosfet)
stooty s
?
Lehimleme ve bask? devre
Lehimleme ve bask? devre
Erol Dizdar
?
Smd elemanlar ve ?ipsetler
Smd elemanlar ve ?ipsetler
Erol Dizdar
?
T¨¹mle?ik devreler
T¨¹mle?ik devreler
Erol Dizdar
?
Mazeretleri y?karak ba?ar?l? olmak
Mazeretleri y?karak ba?ar?l? olmak
Erol Dizdar
?
3.bipolar junction transistor (bjt)
3.bipolar junction transistor (bjt)
firozamin
?
Metal Oxide Semiconductor Fet (Mosfet)
Metal Oxide Semiconductor Fet (Mosfet)
stooty s
?
Ad

Similar to fet Transist?rler (20)

diyot uygulamalari biyomedikal muhendisligi
diyot uygulamalari biyomedikal muhendisligi
AbdolkaderNajeb
?
Da?itim transformat?rleri (2)
Da?itim transformat?rleri (2)
Celal Altinok
?
Deney 6
Deney 6
karmuhtam
?
04 934-diyot-uygulamalari-334
04 934-diyot-uygulamalari-334
darksmooth
?
Sample and Hold Ci?rcui?t
Sample and Hold Ci?rcui?t
Mehmet Kurt?u
?
Zener Diyor Uygulamalari Proteus
Zener Diyor Uygulamalari Proteus
yeniceliyim
?
Alternat?r
Alternat?r
gakkos
?
2 gerilim trafolar?
2 gerilim trafolar?
ka_ka
?
2. Hafta.pdf
2. Hafta.pdf
ridatr
?
8. H¨¹cre Zar? Modeli ve bununla ilgili di?er bilgiler
8. H¨¹cre Zar? Modeli ve bununla ilgili di?er bilgiler
SEHMUSAKA
?
7. s?n?f ya?am?m?zdaki elektrik
7. s?n?f ya?am?m?zdaki elektrik
elif yaral?
?
Kompanzasyonda kullan?lan malzemler ve ba?lant?lar?
Kompanzasyonda kullan?lan malzemler ve ba?lant?lar?
Enver Karabulut
?
Asenkron motor ii
Asenkron motor ii
AL? RIZA SAYIN
?
Asenkron motor ii
Asenkron motor ii
AL? RIZA SAYIN
?
tesis projesi
tesis projesi
ka_ka
?
Hafta-4-Antenler-pptx. Antenlerrrrrrrrrr
Hafta-4-Antenler-pptx. Antenlerrrrrrrrrr
bluewolf17
?
diyarbakirescortt.tk
diyarbakirescortt.tk
Diyarbak?r Esc
?
Peling¨¹z Yal??n -
Peling¨¹z Yal??n -
TC PeLing¨¹z Yal??n
?
ENERJ? ?LET?M S?STEMLER? 2
ENERJ? ?LET?M S?STEMLER? 2
Din?er Y¨¹ksek
?
diyot uygulamalari biyomedikal muhendisligi
diyot uygulamalari biyomedikal muhendisligi
AbdolkaderNajeb
?
Da?itim transformat?rleri (2)
Da?itim transformat?rleri (2)
Celal Altinok
?
04 934-diyot-uygulamalari-334
04 934-diyot-uygulamalari-334
darksmooth
?
Sample and Hold Ci?rcui?t
Sample and Hold Ci?rcui?t
Mehmet Kurt?u
?
Zener Diyor Uygulamalari Proteus
Zener Diyor Uygulamalari Proteus
yeniceliyim
?
Alternat?r
Alternat?r
gakkos
?
2 gerilim trafolar?
2 gerilim trafolar?
ka_ka
?
2. Hafta.pdf
2. Hafta.pdf
ridatr
?
8. H¨¹cre Zar? Modeli ve bununla ilgili di?er bilgiler
8. H¨¹cre Zar? Modeli ve bununla ilgili di?er bilgiler
SEHMUSAKA
?
7. s?n?f ya?am?m?zdaki elektrik
7. s?n?f ya?am?m?zdaki elektrik
elif yaral?
?
Kompanzasyonda kullan?lan malzemler ve ba?lant?lar?
Kompanzasyonda kullan?lan malzemler ve ba?lant?lar?
Enver Karabulut
?
tesis projesi
tesis projesi
ka_ka
?
Hafta-4-Antenler-pptx. Antenlerrrrrrrrrr
Hafta-4-Antenler-pptx. Antenlerrrrrrrrrr
bluewolf17
?
Ad

fet Transist?rler

  • 1. Cihat ?ahin FET TRANS?ST?RLER ?N?N? ?N?VERS?TES? ?ZEL ??RET?M Y?NTEMLER? SUNUSU 2011
  • 2. TRANS?ST?R NED?R? ?ki P tipi madde aras?na N tipi madde veya iki N tipi madde ars?na P tipi madde konularak elde edilen elektronik devre elaman?na transist?r denir. Transist?rde yar? iletken maddeyi biraraya getirmek i?in farkl? metodlar kullan?lar. Bu metodlar kullan?larak yap?lan transist?rler ; - Nokta temasl? transist?rler - Y¨¹zey temasl? transist?rler - Ala??m veya yay?lma yoluyla yap?lan transist?rler
  • 3. Genelde elektronik devrelerde y¨¹zey temasl? transist?rler kullan?l?r. Y¨¹zey temasl? transist?rler ise ; - NPN transist?r - PNP transist?r lerdir
  • 4. Transist?r¨¹n her bir terminaline i?levlerinden ?t¨¹r¨¹; Emiter ( E miter), Beyz ( B ase) ve Kolekt?r ( C ollector) adlar? verilir. Bu terminaller; genelde E, B ve C harfleri ile sembolize edilirler.
  • 5. B?R TRANS?ST?R?N ?AL??MAS? ???N GEREKL? ?ARTLAR Transist?r¨¹n ?al??abilmesi i?in; beyz-emiter jonksiyonu do?ru y?nde, beyzkolekt?r jonksiyonu ise ters y?nde polarmaland?r?lmal?d?r. Bu ?al??ma bi?imine transist?r¨¹n aktif b?lgede ?al??mas? denir.
  • 6. Beyz ak?m? olmadan, emiter-kolekt?r jonksiyonlar?ndan ak?m akmaz. Transist?r kesimdedir. Farkl? bir ifadeyle; beyz ak?m? k¨¹?¨¹k olmas?na ra?men transist?r¨¹n ?al??mas? i?in ?ok ?nemlidir. PN jonksiyonlar?n?n karakteristikleri transist?r¨¹n ?al??mas?n? belirler. ?rne?in; transist?r, VBE olarak tan?mlanan beyz-emiter jonksiyonuna do?ru y?nde bir ba?lang?? gerilimi uygulanmas?na gereksinim duyar. Bu gerilimin de?eri silisyum transist?rlerde 0.7V, germanyum transist?rlerde ise 0.3V civar?ndad?r.
  • 7. TRANS?ST?RLER?N ?AL??MA B?LGES? Aktif B?lge : Transist?r¨¹n aktif b?lgesi; beyz ak?m?n?n s?f?rdan b¨¹y¨¹k (IB>0) ve kolekt?r-emiter geriliminin 0V¡¯dan b¨¹y¨¹k (VCE>0V) oldu?u b?lgedir. Transist?r¨¹n aktif b?lgede ?al??abilmesi i?in beyz-emiter jonksiyonu do?ru, kolekt?r-beyz jonksiyonu ise ters y?nde polarmalan?r. Bu b?lgede transist?r¨¹n ??k?? ak?m? ?ncelikle beyz ak?m?na, k¨¹?¨¹k bir miktarda VCE gerilimine ba??ml?d?r. Do?rusal y¨¹kselte? tasar?m? ve uygulamalar?nda transist?r genellikle bu b?lgede ?al??t?r?l?r.
  • 8. (Transist?r¨¹n kesim b?lgesinde ?al??mas?) (Transist?r¨¹n doyum b?lgesinde ?al??mas?) (a) (b) Kesim B?lgesi : Transist?r¨¹n kesim b?lgesinde nas?l ?al??t??? ?ekil (a) yard?m?yla a??klanacakt?r. ?ekilde g?r¨¹ld¨¹?¨¹ gibi transist?r¨¹n beyz ak?m? IB=0 oldu?unda, beyzemiter gerilimi de VBE=0V olaca?? i?in devrede kolekt?r ak?m? (IC) olu?mayacakt?r. Bu durumda transist?r kesimdedir. Kolekt?r-emiter jonksiyonlar? ?ok y¨¹ksek bir diren? de?eri g?sterir ve ak?m akmas?na izin vermez. Transist?r¨¹n kolekt?r-emiter gerilimi VCE, besleme gerilimi VCC de?erine e?it olur. Kolekt?rden sadece IC0 ile belirtilen ?ok k¨¹?¨¹k bir ak?m akar. Bu ak?ma ¡°s?z?nt? ak?m?¡± denir. S?z?nt? ak?m? pek ?ok uygulamada ihmal edilebilir.
  • 9. (a) (b) Doyum B?lgesi : Transist?r¨¹n doyum (saturation) b?lgesinde ?al??ma ?ekil b yard?m?yla a??klanacakt?r. Transist?re uygulanan beyz ak?m? art?r?ld???nda kolekt?r ak?m? da artacakt?r. Bu i?lemin sonucunda transist?r¨¹n VCE gerilimi azalacakt?r. ?¨¹nk¨¹ IC ak?m?n?n artmas? ile RC y¨¹k direnci ¨¹zerindeki gerilim d¨¹?¨¹m¨¹ artacakt?r. Kolekt?r-emiter gerilimi doyum de?erine ula?t???nda (VCE(DOY)) beyz-emiter jonksiyonu do?ru y?nde polarmalanacakt?r. Sonu?ta IB de?eri daha fazla y¨¹kselse bile IC ak?m? daha fazla artmayacakt?r. Doyum b?lgesinde ?al??an bir transist?r¨¹n kolekt?r-emiter gerilimi VCE yakla??k 0V civar?ndad?r. Bu de?er genellikle VCE(DOY)=0V olarak ifade edilir.
  • 12. Alan etkili transist?r yani k?saca fet (field effect transist?r) 3 u?lu bir grup yar? iletken devre eleman?n?n genel ad?d?r.
  • 13. Alan etkili transist?r ; jonksiyon fet (JFET) yada metal oksitli yar? iletken JFET (MOSFET) olarak ismilendirilir. Her iki tip transist?r¨¹nde n ve p kanall? olmak ¨¹zere iki ?e?idi bulunmaktad?r. N kanall? transist?rlerde iletim , elektronlarla P kanall? transist?rlerde ise bo?luklarla(hole) sa?lan?r.
  • 14. FETLER?N ?ZELL?KLER? G¨¹r¨¹lt¨¹ (parazit) oranlar? ?ok d¨¹?¨¹kt¨¹r. Ak?mlar? ?s? ile fazla de?i?mez. Giri? ve ??k?? empedanslar? al?ak frekanslarda ?ok y¨¹ksektir. Ancak, ?al??ma frekanslar? y¨¹kseldik?e bu de?er d¨¹?er.
  • 15. KULLANIM ALANLARI Osilat?rler, al?c? ve vericilerinradyofrekans ve al?ak frekansradyofrekans ve al?ak frekanskatlar?, VHF y¨¹kselte?ler, ?l?¨¹katlar?, VHF y¨¹kselte?ler, ?l?¨¹aletleri, mikserler, otomatik kazan?aletleri, mikserler, otomatik kazan?kontrol devreleri vb.kontrol devreleri vb.
  • 17. JFET YAP?S? VE ?AL??MAS? JFET 3 uca sahiptir. U?lar?na i?levlerinden ?t¨¹r¨¹ Gate , Source ve Drain isimleri verilmi?tir. JFET sembol¨¹nde gate ucunda bulunan okun y?n¨¹ transist?r¨¹m¨¹z¨¹n n veya p kanall? oldu?unu g?sterir. Ok y?n¨¹ i?eri do?ruysa n kanall? JFET , d??ar? do?ruysa p kanall? JFET olarak isimlendirilir.
  • 18. Ge?it(gate) : n- tipi ?ubu?un sa? ve sol yanlar?nda bir pn eklemi olu?turmak i?in dispersiyon veya bir ba?ka y?ntemle yo?un bir ?ekilde al?c? atomlar?yla katk?lanm?? b?lgedir. Kaynak(source ) : ?o?unluk y¨¹k ta??y?c?lar?n?n yar? ileyken ?ubu?a girdikleri u?tur. Aka?(drain) :?o?unluk y¨¹k ta??y?c?lar?n?n yar? iletken ?ubu?u terk ettikleri u?tur. Kanal : ?ki ge?it aras?nda kalan ve ?o?unluk y¨¹k ta??y?c?lar?n?n kaynaktan aka?a ge?tikleri b?lgeye denir.
  • 19. Drain, R L y¨¹k direnci ¨¹zerinden V DD drain g¨¹? kayna??n?n pozitif terminaline, Source V DD 'nin negatif terminaline irtibatland?r?l?r. Gate, V GG g¨¹? kayna??n?n negatif terminaline ba?lan?r. Bu irtibatla Gate-Source p-n eklemi ters bayaslanm??t?r yani polarmaland?r?lm??t?r. Gate p- maddesinden olu?tu?u i?in V GG g¨¹? kayna??n?n (-) terminali gate 'e, (+) terminali source 'a ba?lanarak ters polarma sa?lanm??t?r. Gate 'in ters polarmalanmas?yla devreden akan gate ak?m? son derece k¨¹?¨¹k de?erdeki bir ters ak?md?r. ?ekil-2 JFET LER?N ?ALI?MASI
  • 20. I D drain ak?m?, JFET ¨¹zerinde source 'den drain 'e do?ru akar. (Ak?m?n, g¨¹? kaynaklar?n?n (-) terminalinden, (+) terminale dola?t??? kabul edilmi?tir.) ?lk durumda V GG g¨¹? kayna??n?n olmad???n?, gate ucunun do?rudan ?aseye ba?l? oldu?unu d¨¹?¨¹nelim, Bu durumda V GG =0V oldu?u i?in Gate-Source aras? voltaj da (V GS ) 0 Volt 'tur. Bu anda I D ak?m?, n-tipi maddenin direnci ve R L taraf?ndan limitlenir. JFET ¨¹zerinden drain ak?m? (I D ) arttk?a n-madde par?as? boyunca bu gerilim d¨¹?¨¹m¨¹ meydana gelir. Bu gerilim, source 'a g?re pozitif olup, gate p-n eklemini ters polarmalanm??t?r.
  • 21. p-n eklemi ters polarmaland??? her durumda, eklem civar?nda; i?inde ak?m ta??y?c?lar? bulunmayan bir bo?luk b?lgesi (eklem setti) meydana gelir. Bu durum ?ekil 3 ¡®de p maddelerinin ?evresinde g?sterilmi?tir. p maddelerinin ?evresindeki bo?luk b?lgesinde ak?m ta??y?c?lar? olmad???ndan I D drain ak?m? akamaz. B?ylece, drain k?sm? bo?luk b?lgeleri aras?ndaki sahada s?n?rland?r?lm?? olunur. Bu b?lge kanal olarak adland?r?l?r. V DD kaynak voltaj? artt?k?a drain ak?m? da artar. Fakat bu art?? do?rusal de?ildir. Bu art???n do?rusal olmamas?n?n nedeni, gate p-n eklemindeki ters polarmalanmas?n?n artmas?ndand?r. ?ekil-3
  • 22. ?ekil 3 ¡®de V DD = 4 Volt iken bo?luk b?lgesi ile V DD = 6 Volt iken bo?luk b?lgesinin durumu g?r¨¹lmektedir. V DD drain kaynak voltaj?n?n daha fazla artt?r?lmas? (V DD = 6V) ?ekil 3 ¡®de g?r¨¹ld¨¹?¨¹ gibi bo?luk b?lgelerinin birbirine daha fazla yakla?mas?na neden olur. B?yle bir durumda drain kaynak voltajn?n daha fazla artt?r?lmas? I D drain al?m?nda ?ok az bir art?? meydana getirir.
  • 23. B?ylece drain ak?m? saturasyona (doyum) ula?m?? olur. Drain ak?m?n?n saturasyon de?erine ula?t??? noktaya PINCH - OFF noktas? denir. Pimch - off nokas?na kritik gerilim ad? da verilebilir. V P ile g?sterilir. Bu de?er n-kanall? JFET 'te negatif, p-kanall? da ise pozitif de?erdir. ?ekil 4 'te g?sterilen karakteristik e?rinin yatay ekseni Drain - source aras? voltaj?, dikey ekseni ise I D drain ak?m?n? g?sterir ?ekil-4(Ak?m ¨C Gerilim karekteristi?i)
  • 24. FET LER?N KULLAN?LD??? BAZ? DURUMLAR
  • 25. K???K B? ?RNEK ??ZEL?M??? JFET Devresinin kazanc?n? hesaplayal?m?
  • 26. A -kv C A>> DC ak?mdan gelen sbt -kv>> Kazan? C>> Bozunma terimi
  • 28. ?ekil 5 'te taban malzeme (g?vde) p-tipi madde al?nm??t?r. Bu p-tipi maddenin uygun yerlerinde N tipi b?lgeler olu?turulmu? ve aralar?na ince bir kanal yerle?tirilmi?tir. Bu yap?n?n ¨¹st¨¹ silikon oksit tabakas? ile tamamen kaplanm??t?r. Ancak bu tabakan?n havadaki sodyumdan etkilenebilece?inden bunun ¨¹zeri ikinci tabaka olan silikon nitrat ile kapat?lm??t?r. N-maddelerinden ??kart?lan u?lar?n ad?; Drain ve Source u?lar?, silikon tabakalar?ndan delik a??larak metalik irtibat sa?lanm??t?r. Drain ve Source u?lar?, N-tipi b?lge ile do?rudan irtibatl? oldu?u halde Gate ucu yar?iletkenden yal?t?lm??, izole edilmi? haldedir. Burada gate ucuna uygulanan gerilim s?f?r volt oldu?unda drain ve source u?lar? aras?nda belirli bir ak?m akar. MOSFETLER?N YAP?S? VE ?AL??MAS? ?ekil-5 Azalan tip mosfet
  • 29. ?¨¹nk¨¹, drain ve source birbiriyle irtibatl?d?r. Gate terminaline (+) gerilim uyguland???nda, N-tipi maddeler aras?nda mevcut olan kanal geni?leyece?inden D-S aras?ndan ge?en ak?m artar. Gate terminaline (-) gerilim uyguland???nda kanal daralarak ak?m azal?r. ?ekil 5 'de kanal N-tipi maddeden yap?ld??? i?in n-kanall? azalan tip Mosfet 'tir. Kanal p-tipi maddeden de yap?labilir.
  • 30. D-S aras?ndan ge?en ak?m kanaldan ge?er. Gate 'e uygulanan gerilim ile kanaldan ge?en ak?m kontrol edilir. n-kanall? azalan tip Mosfet 'te gate ile source (-), drain (+) polaritedir. Azalan tip Mosfet 'te gate voltaj? s?f?r iken drain ak?m? vard?r. Gate 'e uygulanan (-) voltajla kanal iletkenli?i azalmakta, kanal direnci artmakta dolay?s?yla kanaldan ge?en ak?m azalmaktad?r. Kanal iletkenli?i dolay?s?yla ak?m azald??? i?in azalan tip Mosfet olarak adland?r?l?r.
  • 31. ?o?alan tip Mosfet 'in azalan tipten fark? iki N-tipi b?lgenin aras?nda kanal olmamas?d?r. Burada da Source (S) ve Drain (D) u?lar?, N-tipi b?lgelerle do?rudan temas halinde olduklar? halde Gate (G) ucu yar?iletken malzemeden izole edilmi? durumdad?r. G ucuna herhangi bir gerilim uygulanmad??? s¨¹rece S ve D u?lar? aras?ndan bir ak?m akmaz. G ucunun bulundu?u metal par?a ile P-tipi g?vde bir kondansat?r ?zelli?i g?sterir. ?¨¹nk¨¹, iki iletken bir yal?tkan kondansat?r¨¹ meydana getirir. G ucuna (+) gerilim uyguland???nda, kapasite ?zelli?inden dolay? P-tipi g?vde de iki N-maddenin yan?nda (-) y¨¹kler toplan?r. (?ekil 7). B?ylece iki N-tipi madde aras?nda do?al olarak bir kanal olu?ur. Bu durmda ak?m ak??? ba?lar. Gate 'e uygulanan (+) gerilimin artt?r?lmas? halinde, iki N-tipi madde aras?nda olu?an (-) y¨¹kler ?o?alarak P-tipi g?vde i?erisinde olu?an bu kanal?n geni?lemesine sebebiyet verir. B?ylece S ve D u?lar? aras?nda akan ak?m, gate 'e uygulanan gerilim ile kontrol edilebilir. Gate ucuna gerilim uygulanmad??? s¨¹rece S ve D aras?ndan ak?m akmaz. ?o?alan tip mosfet ?ekil-6 ?ekil-7
  • 33. n - kanall? Azalan Tip MOSFET Devre Ba?lant?s? p- kanall? Azalan Tip MOSFET Devre Ba?lant?s? ?ekil-8(a) ?ekil-8(b) AZALAN T?P MOSFETLER
  • 34. ?ekil 9 (a) 'da ise drain karakteristi?i, (b) 'de ise transfer karakteristi?i g?sterilmi?tir. I D -V DS (drain) karakteristi?inde, hem pozitif, hem de negatif gate-source (V GS ) gerilimi ile ?al??t?r?lm??t?r. V GS 'nin negatif de?eri artt?r?ld??? taktirde, belli bir gerilimde art?k drain ak?m? akmaz. Bu gerilime, kapama-k?sma-kritik gerilim denir. ?ekil 9 (a) 'da nokta nokta olarak ?izilen k e?risine kadar, herbir e?ri V P (pinch-off) gerilimine ula??ncaya kadar drain ak?m? da artar. Bu de?erden sonra, gerilim art???na ra?men ak?m sabittir. ?ekil-9(a)-Azalan Tip MOSFET 'in I D -V DS Statik Karakteristik E?risi (n - kanall? ) ?ekil-9(b)- Azalan Tip MOSFET 'in Transfer Karakteristi?i (n - kanall?) N-KANALLI
  • 35. ?ekil-10(a)-Azalan Tip MOSFET 'in I D -V DS Statik Karakteristik E?risi (p - kanall? ) ?ekil-10(b)- Azalan Tip MOSFET 'in Transfer Karakteristi?i (p - kanall?) P-KANALLI
  • 36. p ¨C kanall? ?o?alan Tip MOSFET Devre Ba?lant?s? n ¨C kanall? ?o?alan Tip MOSFET Devre Ba?lant?s? ?OGALAN T?P MOSFETLER
  • 37. Bu tip Mosfet 'lerde kap?-kaynak gerilimi V T e?ik gerilim de?erini a??ncaya kadar drain ak?m? akmaz. Bu e?ik gerilim de?erini a?an pozitif gerilimler, artan bir drain ak?m?na yol a?acakt?r. Transfer karakteristi?inin denklemi, I D = k (V GS -V T ) 2 Bu denklemde k de?eri, eleman?n yap?s?na ili?kin bir de?er olup tipik olarak 0,3 mA/V 2 de?erindedir. V GS = 0 Volt durumunda hi? drain ak?m? akmayaca??ndan I DSS de?eri de olmayacakt?r. ?ekil-12(a) n - kanall? ?o?alan Tip MOSFET 'in Drain Karakteristi?i ?ekil-12(b) n - kanall? ?o?alan Tip MOSFET 'in Transfer Karakteristi?i N-KANALLI
  • 38. ?ekil 13 (a) ve (b) 'de p-kanall? ?o?alan tip Mosfet 'in drain ve transfer karakteristi?i g?sterilmi?tir. Gate ucuna uygulanan negatif gerilim azalt?lmas? halinde drain ak?m? akmayacakt?r. Yine di?er elemanlarda oldu?u gibi, belli bir voltaj de?erinden sonra, voltaj?n artmas?na re?men ak?m artmayacakt?r. Bu noktaya saturasyon ad? verilir. Kap?-kaynak gerilimi V T e?ik gerilimi a??l?nca drain ak?m? akar. ?o?alan tip Mosfet 'ler daha k¨¹?¨¹k ?l?¨¹lerde ve basit yap?da olmas?ndan dolay?, entegre devreler i?in uygun bir elemanlard?r. ?ekil 13(a) - p - kanall? ?o?alan Tip MOSFET 'in Drain Karakteristi?i ?ekil 13(b) p - kanall? ?o?alan Tip MOSFET 'in Transfer Karakteristi?i P-KANALLI
  • 40. ?