�ݺ�ߣ

หน่วยความจำหลัก (Main Memory)

หน่วยความจำหลัก ประสิทธิภาพของโปรเซสเซอร์ หรือซีพียูนั้นถูกวัดจากจำนวนคำสั่ง (Instruction) ที่ซีพียูสามารถเรียกใช้งานได้ใน 1 วินาที และความเร็วดังกล่าวนี้ก็มีการเพิ่มขึ้นเป็น 2 เท่า ทุก ๆ 18 เดือน หน่วยความจำของคอมพิวเตอร์เองก็มีการพัฒนาเพิ่มขึ้นเช่นเดียวกันแต่ในทิศทางที่แตกต่าง คือหน่วยความจำนั้นจะมีการเพิ่มขนาดเป็น 4 เท่าในทุก ๆ 36 เดือน ในขณะที่ราคาคงที่ แต่ความเร็วของหน่วยความจำมีการเพิ่มขึ้นประมาณ 10% ต่อปีเท่านั้น ด้วยเหตุที่การเพิ่มความเร็วของโปรเซสเซอร์ที่มีอัตราสูงกว่าการเพิ่มความเร็วของหน่วยความจำ ทำให้ช่องว่างระหว่างความเร็วของโปรเซสเซอร์และความเร็วของหน่วยความจำเพิ่มมากขึ้น การออกแบบสถาปัตยกรรมคอมพิวเตอร์จึงต้องพิจารณาการลดช่องว่างนี้

การทำงานของหน่วยความจำ หน่วยความจำหลัก เป็นศูนย์กลางของการทำงานต่าง ๆ ของระบบคอมพิวเตอร์ในปัจจุบัน หน่วยความจำหลัก คือพื้นที่เก็บข้อมูลขนาดใหญ่ที่ประกอบไปด้วย พื้นที่เก็บข้อมูลย่อยที่มีขนาดเป็น ไบต์ (Byte) โดยแต่ละไบต์จะมีแอ็ดเดรส (Address) บอกตำแหน่งของตัวเองด้วย ซึ่งการทำงานของระบบคอมพิวเตอร์นั้นจะเริ่มต้นจากการดึงหรือเฟ็ตช์คำสั่ง (Fetch) ออกมาจากหน่วยความจำแล้วเอ็กซิคิวต์ (Execute) คำสั่งเหล่านั้นทีละคำสั่ง

รีจิสเตอร์ (Register) เมมโมรีบัพเฟอร์รีจิสเตอร์ (MBR : Memory buffer register) : เป็นหน่วยเก็บข้อมูลที่จะส่งออกไปเก็บ หรือที่ดึงมาจากหน่วยความจำ เมมโมรีแอ็ดเดรสรีจิสเตอร์ (MAR : Memory address register) : เป็นตัวกำหนดที่อยู่ของหน่วยความจำที่ MBR จะทำการอ่าน หรือ เก็บข้อมูล อินสตรัคชันรีจิสเตอร์ (IR : Instruction register) : เป็นส่วนที่เก็บคำสั่ง (Opcode) ที่จะถูกเรียกใช้งาน โปรแกรมเคาน์เตอร์ (PC : Program counter) : เป็นส่วนที่เก็บที่อยู่ของคำสั่งถัดไปที่จะถูกดึงออกมาจากหน่วยความจำหลัก แอ็กคิวมูเลเตอร์ (AC : Accumulator) : จะใช้ในเก็บค่าชั่วคราวของ โอเปอแรนด์ (Operands) และผลลัพธ์ของการคำนวณในส่วน ALU

การทำงานของระบบคอมพิวเตอร์ ระบบคอมพิวเตอร์จะทำงานโดยการเรียกใช้คำสั่งจากหน่วยความจำหลักเข้ามาทำงาน หรือที่เราเรียกว่า “วงรอบคำสั่ง” (Instruction Cycle) ซึ่งในแต่ละวงรอบจะประกอบไปด้วย 2 วงรอบการทำงานย่อย คือ “ วงรอบ เฟ็ตช์” (Fetch Cycle) และวงรอบ เอ็กซิคิวต์ (Execute Cycle)

วงรอบเฟ็ตช์ การเคลื่อนย้ายข้อมูลระหว่างโปรเซสเซอร์กับหน่วยความจำหลัก (Processor-memory) การเคลื่อนย้ายข้อมูลระหว่างโปรเซสเซอร์กับอุปกรณ์อินพุต / เอาต์พุต (Processor-I/O) การประมวลผลข้อมูล (Data Processing) การควบคุมการทำงาน (Control) เริ่มทำงานโดยการโหลดคำสั่งเข้าไปในรีจิสเตอร์ IR และส่วนของแอ็ดเดรสของหน่วยความจำจะถูกโหลดเข้าไปใน รีจิสเตอร์ MAR ซึ่งคำสั่งดังกล่าวนี้อาจจะมาจากรีจิสเตอร์ IBR หรืออาจจะมาจากหน่วยความจำหลักที่ถูกโหลดเข้าไปในรีจิสเตอร์ MBR และส่งผ่านไปยังรีจิสเตอร์ IBR อีกทีก็ได้

วงรอบเอ็กซิคิวต์ เมื่อคำสั่งถูกโหลดเข้ามาใน รีจิสเตอร์ IR วงรอบเฟ็ตช์จะเริ่มทำงาน โดยแผงวงจรอิเล็กทรอนิกส์ในโปรเซสเซอร์จะทำการอ่านคำสั่งที่ให้ทำงาน และเรียกใช้โดยการส่งสัญญาณไปยังส่วนควบคุม (Control) เพื่อเคลื่อนย้ายข้อมูล หรือทำการคำนวณในส่วน ALU โดยการเรียกใช้คำสั่งนั้นจะทำงานตลอดเวลา และจะหยุดก็ต่อเมื่อเครื่องคอมพิวเตอร์ถูกปิด หรือเกิดข้อผิดพลาดที่ไม่สามารถกู้คืนได้ หรือมีคำสั่งในโปรแกรมให้หยุดการทำงานของเครื่อง (Halt)

คุณลักษณะของหน่วยความจำ ตำแหน่ง (Location) ความจุ (Capacity) หน่วยของการถ่ายโอนข้อมูล (Unit of Transfer) เวิร์ด (word) หน่วยที่ใช้ในการอ้างถึงตำแหน่งข้อมูล วิธีการเข้าถึงข้อมูล (Access method) การเข้าถึงข้อมูลแบบลำดับ (Sequential access) การเข้าถึงข้อมูลแบบโดยตรง (Direct access) การเข้าถึงข้อมูลแบบสุ่ม (Random access)

คุณลักษณะของหน่วยความจำ ประสิทธิภาพของหน่วยความจำ (Performance) ชนิดของสื่อที่ใช้บันทึก (Physical Type) ชื่อ หน่วย คำอธิบาย Access time วินาที เวลาที่ใช้ในการเข้าถึงเวิร์ดในหน่วยความจำ Cycle time วินาที เวลาที่ใช้เริ่มนับจากหน่วยความจำอ่านข้อมูลจน ถึงจุดเริ่มของคำสั่งถัดไป Block size เวิร์ด จำนวนของเวิร์ดใน 1 บล็อกข้อมูล อัตราการถ่ายโอน เวิร์ด / วินาที อัตาการถ่ายโอนข้อมูล Latency วินาที เวลาที่ใช้ในการเข้าถึงเวิร์ดแรกของข้อมูล Block access time วินาที เวลาที่ใช้ในการเข้าถึงบล็อกของเวิร์ดทั้งหมด

การแบ่งห�Ȩ��วยความจำออกเป็�Ȩ��ำดับชั้น

การเชื่อมต่อระหว่างซีพียูกับหน่วยความจำ

หน่วยความจำ RAM หน่วยความจำ RAM มีการทำงานเหมือนกับเกต D- ฟลิบฟล็อบ (D flip-flop) และมีตัวควบคุมที่จะอนุญาตให้เซลนั้นถูกเลือก , อ่าน , หรือเขียนลงไปได้ ในเซลนั้นจะมีสายสัญญาณนำข้อมูลเข้าและออก และเมื่อเรากล่าวถึงชิปของ RAM เราจะนำเซลของหน่วยความจำที่คล้ายกับในรูปมาใช้ อย่างไรก็ตามเซลของหน่วยความจำจริง ๆ นั้นไม่จำเป็นต้องเหมือนดังในรูปก็ได้

หน่วยความจำ RAM

SRAM เซลของหน่วยความจำ SRAM นั้นจะประกอบไปด้วยตัวกลับสัญญาณ (Inverter) 2 ตัวที่เชื่อมต่อกันแบบกลับไปกลับมาเป็นวงแหวน เมื่อค่าเซลของหน่วยความจำถูกกำหนดค่า โครงสร้างการเชื่อมต่อดังกล่าวของตัวกลับสัญญาณจะเป็นตัวรักษาค่าที่ถูกบันทึกไว้ เพราะสัญญาณไฟนำเข้าของตัวกลับสัญญาณจะมาจากตัวกลับสัญญาณที่อยู่ตรงข้ามกัน และส่งสัญญาณสลับกันไปมา และด้วยเหตุนี้ SRAM จึงถูกเรียกว่าเป็นหน่วยความจำที่เป็นแบบสถิต (Static RAM) ซึ่งค่าที่บรรจุอยู่ในแรมจะคงที่ตราบเท่าที่ยังมีกระแสไฟฟ้าหล่อเลี้ยงระบบ

DRAM เซลของ DRAM นั้นสามารถแสดงได้ ซึ่งเราจะเห็นว่า DRAM มีการใช้ตัวเก็บประจุ (capacitor) แทนตัวกลับสัญญาณ (inverter) ที่ใช้ในเซลที่เก็บข้อมูล เมื่อสายสัญญาณเวิร์ ด ถูกจองสิทธิเรียกใช้งาน ตัวเก็บประจุก็จะถูกเชื่อมต่อเข้ากับสายสัญญาณบิต ทำให้ค่าที่เก็บไว้ในเซลถูกอ่านออกมาโดยเราสามารถเช็คค่าที่เก็บไว้ในตัวเก็บประจุได้ว่ามีค่าบิตเป็นเท่าไหร่ หรือเราจะทำการเขียนข้อมูลโดยประจุค่าต่างศักย์ใหม่ให้กับตัวเก็บประจุก็ได้

การจัดโครงสร้างภายในชิบ RAM

หน่วยความจำแบบ 4 เวิร์ด ( แต่ละเวิร์ดมี 4 บิต )

การจัดโครงสร้างภายในชิบ RAM การจัดแบบรูปแบบ 2-1/2D ของ 64 เวิร์ด x 1 บิตแรม

การสร้างแรมขนาดใหญจากแรมขนาดเล็ก แรมแบบ 4 เวิร์ด x 8 บิต ที่เกิดจากแรม 4 บิต x 4 บิต เชื่อมต่อกัน

แรมแบบ 8 เวิร์ด x 4 บิต ที่เกิดจากแรม 4 บิต x 4 บิต จำนวน 2 ตัวเชื่อมต่อกัน

โมึϸ�ลྺองแรมที่มีขายตามท้องตลาด

หน่วยความจำรอม (ROM : Read Only Memory) เมื่อมีความต้องการที่จะบรรจุข้อมูลที่ถาวรลงไปในหน่วยความจำ เช่น ค่าติดตั้งต่าง ๆ ของตัวเครื่องหรือเมนบอร์ด หน่วยความจำชนิดอ่านอย่างเดียวหรือ ROM จะถูกนำมาใช้ ROM นั้นเป็นหน่วยความจำแบบไม่ลบเลือน (non-volatile) ซึ่งจะคงค่าของข้อมูลถึงแม้ว่าไม่มีกระแสไฟฟ้าหล่อเลี้ยงก็ตาม เรานิยมใช้ ROM เพื่อเก็บข้อมูลที่ไม่ต้องการการปรับปรุงข้อมูลมากนัก เช่น ใช้สำหรับเก็บค่าต่างๆที่ใช้ในการควบคุมเครื่องยนต์ หรือใช้เก็บบันทึกค่าการทำงานของเครื่องยนต์

ชิบ ROM แบบ 2-D CMOS

ประเภทของหน่วยความจำรอม PROM (Programmable Read Only Memory) EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory) Flash EPROM EEPROM (Electrically Erasable PROM)

คุณสมบัติรอมประเภทต่าง ๆ

จัดทำโดย นายจิรายุ สิริยศธำรง เลขที่ 1 นายสิทธิเชษฐ วิริยะสุนทราพร เลขที่ 7 นายพงศ์ภัค มหาเศรษฐ์สิริ เลขที่ 10 นายธนกร เตชะอุบล เลขที่ 13 นายเชษฐพงศ์ มณีรัตน์โรจน์ เลขที่ 17 นายกฤตมธ จงชาณสิทโธ เลขที่ 37 นางสาวชนาการต์ วงศ์พัฒนเลิศ เลขที่ 27 นางสาวพรรณพัชร สร้อยสุวรรณ เลขที่ 30 นางสาวพรสรวง แสวงเจริญ เลขที่ 31 นางสาวชุติมา วิชญาเตชะกุล เลขที่ 43 นางสาววิยะนัณท์ พิทักษ์สินสุช เลขที่ 56

�ݺ�ߣ

Main Memory 516

More Related Content

Main Memory 516