More Related Content
What's hot (20)
Similar to Revisi karakteristik transistor (15)
Recently uploaded (20)
Revisi karakteristik transistor
- 1. REVISI KARAKTERISTIK TRANSISOR Nama : Kurniawan Setyo A No.Induk : 1410502061 Prodi : Teknik Mesin UNIVERSITAS NEGERI TIDAR MAGELANG
- 2. DAFTAR ISI Transistor ................................................... 3 Kurva Kolektor ................................................... 4 Kurva basis .................................................. 9 Kurva beta (硫) .................................................. 12
- 3. TRANSISTOR Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya. Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik, dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya. KARAKTERISTIK TRANSISTOR Karakteristik transistor disajikan dengan kurva karakteristik yang menggambarkan kerja transistor. Satu cara untuk melihat sebanyak mungkin detail adalah dengan grafik yang menggambarkan hubungan arus dan tegangan
- 4. 1. Kurva Kolektor Data kurva kolektor CE diperoleh dengan cara membangun rangkaian seperti gambar di atas atau dengan menggunakan transistor curve tracer (alat yang dapat menggambarkan kurva transistor). Ide dari kedua cara tersebut adalah dengan mengubah catu tegangan VBB dan VCC agar diperoleh tegangan dan arus transistor yang berbeda beda. Prosedurnya yaitu biasanya dengan men set harga IB dan menjaganya tetap dan VCC diubah ubah. Dengan mengukur IC dan VCE dapat agar dapat memperoleh data untuk membuat grafik Ic vs VCE. Misalnya, anggap dalam gambar 1 Ic = 10 袖A. Kemudian VCC diubah dan ukur IC dan VCE . Selanjutnya kita akan dapat gambar 2. Pada kurva Ic = 10袖A dibuat tetap selama semua pengukuran. Gambar 1
- 5. Pada gambar di atas, jika Vcc nol, dioda kolektor tidak terbias reverse, oleh sebab itu arus kolektor sangatlah kecil. Untuk VCC antara 0 dan 1 V, arus kolektor bertambah dengan cepat dan kemudian menjadi hampir konstan. Ini sesuai dengan memberikan bias reverse dioda kolektor. Kira kira diperlukan 0,7 V untuk membias reverse dioda kolektor. Setelah level ini, kolektor mengumpulkan semua elektron yang mencapai lapisan pengosongan. Gambar 2
- 6. Di atas knee, harga yang eksak dari VCE tidaklah begitu penting karena dengan membuat bukit kolektor lebih curam tidaklah dapat menambah arus kolektor yang berarti. Sedikit pertambahan pada arus kolektor dengan bertambahnya VCE disebabkan oleh lapisan pengosongan kolektor menjadi lebih lebar dan menangkap beberapa elektron basis sebelum mereka jatuh ke dalam hole. Dengan mengulangi pengukuran Ic dan VCE untuk IB = 20 袖A, sehingga diperoleh gambar 3. Kurvanya hampir sama, kecuali di atas knee, arus kolektor kira kira sama dengan 2 mA. Juga kenaikan VCE menghasilkan pertambahan arus kolektor sedikit karena pelebaran lapisan pengosongan menangkap tambahan elektron basis sedikit. Gambar 3
- 7. Jika beberapa kurva dengan IB yang berbeda diperlihatkan dalam gambar 4 karena menggunakan transistor dengan 硫dc kira kira 100, arus kolektor kira kira 100 kali lebih besar daripada arus basis untuk setiap titik di atas knee dari kurva tersebut. Oleh karena arus kolektor sedikit bertambah dengan bertambahnya VCE, 硫dc sedikit bertambah dengan bertambahnya VCE. Gambar 4
- 8. 1. Daerah jenuh (saturasi) adalah daerah dengan VCE kurang dari tegangan lutut (knee) VK. Daerah jenuh terjadi bila sambungan emiter dan sambungan basis dibias maju. Pada daerah jenuh arus kolektor tidak bergantung pada nilai IB. Tegangan jenuh kolektor emiter, VCE(sat) untuk transistor silikon adalah 0,2 V, sedangkan untuk transistor germanium adalah 0,1 V. 2. Daerah aktif, adalah antara tegangan lutut VK dan tegangan dadal (breakdown) VBR serta di atas IB = ICO. Daerah aktif terjadi bila sambungan emiter diberi bias maju dan sambungan kolektor diberi bias balik. Pada daerah aktif arus kolektor sebanding dengan arus basis. Penguatan sinyal masukan menjadi sinyal keluaran terjadi pada daerah aktif. 3. Daerah cut off (putus) terletak dibawah IB = ICO. Sambungan emitter dan sambungan kolektor diberi bias balik. Pada daerah ini IE = 0 ; IC = ICO = IB
- 9. 2. Kurva basis kurva karakteristik basis merelasikan antara arus basis IB dan tegangan basis-emiter VBE dengan tegangan kolektor-emiter sebagai parameter seperti terlihat pada kurva berikut. Gambar 5
- 10. Pada rangkaian gambar 1 kita dapat memperoleh data untuk membuat grafik IB vs VBE. Gambar 5 menunjukkan grafik yang mirip dioda, karena bagian emiter basis dari transistor merupakan dioda. Karena bertambah lebarnya lapisan pengosongan dengan bertambahnya tegangan kolektor, arus basis berkurang sedikit karena lapisan pengosongan kolektor menangkap beberapa lagi elektron basis. Gambar 6
- 11. Pada gambar 6, terlihat dengan menghubung singkat kolektor emiter (VCE = 0) dan emiter diberi bias maju, karakteristik basis dioda. Semakin tinggi tegangan reverse, maka semakin tipis lebar basis dan semakin tinggi beta DC. Pada suatu saat tegangan reverse dinaikkan, hingga lebar basis menyempit maka daerah tersebut dinamakan breakdown. Kondisi inilah yang dinamakan early effect. Titik ambang (threshold) atau tegangan lutut (VK) untuk transistor germanium adalah sekitar 0,1 sampai 0,2 V, sedang untuk transistor silikon sekitar 0,5 sampai 0,6 V, nilai VBE di daerah aktif adalah 0,2 V untuk germanium dan 0,7 V untuk silikon.
- 12. Kurva beta (硫) Kurva beta menunjukkan bagaimana nilai 硫 berubah dengan suhu dan arus kolektor. Nilai 硫 bertambah dengan naiknya suhu. Nilai 硫 juga bertambah dengan naiknya arus kolektor IC. Tetapi bila IC naik diluar nilai tertentu 硫 akan turun. Gambar 7
- 13. TERIMA KASIH