�ݺ�ߣ

Большинство представленных здесь работ являются результатом цифровой фотографии поверхности полупроводников при помощи оптического микроскопа с поляризующим фильтром - соединений групп III-V с широкой запрещенной зоной (GaN, AlGaN) или кремния. Эти тонкие кристаллические пленки выращены методом эпитаксии - постепенного наращивания слой за слоем, с целью получения идеальных кристаллов с определенным химическим составом. В процессе исследования и совершенствования новых композитных материалов зачастую наблюдаются разнообразные дефекты - трещины, точечные вкрапления, топографические объекты или странные явления на краях. Именно это несовершенство попупроводниковых кристаллов привлекло внимание автора не только с точки зрения ученого, но и в результате их таинственной и эфемерной красоты. Новые миры, а так же новая перспектива для восприятия существующего мира, внезапно появились в окуляре микроскопа и превратились в увлекательную загадку для воображения. Автор - Мария Герасимова. Мария родилась и выросла в новосибирском Академгородке, училась на физфаке НГУ, получила степень PhD в Йельском университете. Она – специалист в области физики кристаллов, сейчас имеет звание профессора физики Бриджпортского университета и постоянно живет в США.Read less