![Интерференция.
При нормальном падении для
световой волны с единичной
амплитудой
E2(x)=E2 sin(wt – kx+f)
амплитуда отраженной волны
E3 (x) = E2 sin[wt – k(2d-x)+f+π]
для стоячей волны
E23(x) = 2 E2 sin[k(d-x)]cos(wt- kd+f)
Огибающая функция для
интенсивности стоячей волны
I23 =4I2sin2[k (d-x)].
Расположение экстремумов при
измерении от подложки :
2 N1 1
3
max
n(d
x)
;
;....
4 4
4
n d
x
2
; ;...; N 1
min
2
N1
0,1, 2...](https://image.slidesharecdn.com/random-140228000746-phpapp02/85/-7-320.jpg)
More Related Content
What's hot (19)
Viewers also liked (20)
Similar to оптическая литография (20)
More from student_kai (20)
оптическая литография
- 2. Передача изображения шаблона оптической системой. Модуляционная передаточная функция MПФ ( const ) I m ax I m in / I m ax I m in 2 МПФ ( ) 2 arc co s 1 o ν=1/(а+b) пространственная частота o o 1/ 2
- 3. Основные параметры проекционных линз. f - фокусное расстояние D — диаметр апертуры - апертурный угол n – показатель преломления Числовая апертура NA = nsinα=D/2f Глубина резкости Δf= λ/(2(NA) ) 2 При λ=300нм, NA=0,35 Δf<1.5 мкм . По критерию Релея разрешение объектива W =kλ/NA k≥ 3 для резистов , формирующих изображение в верхнем поверхстностном слое ; k≥ 0.5 для многослойных резистов ; k≥ 0.75 для однослойных резистов ; k≥ 1.1 для резистов на отражающей поверхности (например на Al) ; Практическим разрешением считается Wпракт=1.83λ/NA
- 4. Влияние типа источника излучения на МПФ шаблон шаблон i Когерентный источник из условия дифракции n(a+b)sinΘ=Nλ, при N=1 nsinΘ/v = λ v=nsinΘ/λ,если Θ= vmax=nsin , то /λ=NA/λ=v0 Некогерентный источник n(a+b)(sin , ≤ vmax =(2nsin + sinΘ)=λ, если , то )/ λ =2v0
- 5. Поглощение в резисте Спектры излучение ртутно-дуговой лампы Состав поглощение резиста Характеристическая кривая Светочувствительность Sd 1 d/d0 1 NA E t 0.8 dM инг H C Контр N Контрастность γ=(lg E1 / E0)-1 E1 E0
- 6. Формирование скрытого изображения в резисте Поглощение света по закону БугераЛамберта: I(x ,t) I(x ,t) α x где α- коэффициент поглощения α AM (x, t) ; B Изменение концентрации М(x,t) ингибитора по глубине резиста x при экспонировании M I(x , t) M (x , t) C t Распределение ингибитора в резисте по глубине при разных энергиях экспонирования где С-светочувствительность резиста Резист AZ1350j A=0.86 мкм-1 B=0.07 мкм-1 C=0.018 cм-1мДж λ=404,7нм
- 7. Интерференция. При нормальном падении для световой волны с единичной амплитудой E2(x)=E2 sin(wt – kx+f) амплитуда отраженной волны E3 (x) = E2 sin[wt – k(2d-x)+f+π] для стоячей волны E23(x) = 2 E2 sin[k(d-x)]cos(wt- kd+f) Огибающая функция для интенсивности стоячей волны I23 =4I2sin2[k (d-x)]. Расположение экстремумов при измерении от подложки : 2 N1 1 3 max n(d x) ; ;.... 4 4 4 n d x 2 ; ;...; N 1 min 2 N1 0,1, 2...
- 8. Картина стоячих волн при интерференции Увеличение 20000х.С разрешения M.Narishima IBM
- 9. Профили резиста Профиль резиста dy dy dE dx dE dx dy ,где -определяется режимом dE E0 dE 2NA проявления 1 2 f NA k 2 dx определяется оптической системой Скорость поглощения dE dt hc dI dx x Доза экпонирования Q hc I x t x H хим . превр .
- 10. Механизм проявления. • По закону Фика уравнение растворения массы полимера dm за время dt с поверхности S dm D Ns N0 S hc A dt NA • D- коэффициент диффузии молекул полимера • А- молекулярная масса полимера. • Прирост концентрации dN растворенного полимера dN NA dm A V • где V-объем жидкости. После интегрирования ln Ns N0 Ns D St V hc • Скорость проявления R dx NsA D dt NA hc exp D St V hc D RT
- 11. Установки проекционной печати Схема сканирующего литографического устройства с уменьшением на основе преломляющей оптики 1- ртутная лампа 2-щель 3-фильтр 4-шаблон 5-пластина 6-первное зеркало 7-второе зеркало Оптическая схема располоржения зеркал 1- направление перемещения шаблона 2-шаблон в масштабе 1:1 3-источник света 4-стигматическое поле 5-спец.щелевой конденсатор 6-первное зеркало 7-второе зеркало 8-направление перемещения пластины 9-пластина
- 12. Выводы... ...существует 2 типа фотолитографии : теневого экспонирования. проекционные с преломляющей оптикой и отражающей оптикой. При теневом экпонировании главными недостатками являются повреждение фотошаблона и органическая совмещаемость. В проекционных системах исп. линзы или зеркала, позволяющие проецировать рисунок фотошаблона на квадратное поле 20*20 мм или на полоску(1.5 мм) которая затем сканируется на пластике. Пять ключевых требований к пошаговым системам экспонирования: хорошее совмещение отдельных кристаллов ; точный лазерный координатный стол ; возможность изменения координатной сетки ; малая площадь, занимаемая установкой экспонирования в чистой комнате; производительность около 40(250-мм) пластин в час. Разрешение улучшается при использовании более коротковолнового излучения(ДУФ) и объектива с большим NA .К сожалению глубина фокуса также уменьшается с увеличением NA и определение местоположения каждого кристалла требует дополнительной фокусировки. В этом случае неплоскостность пластин, неровный топографический рельеф, а также сама толщина резиста могут привести к невозможности получения субмикронных структур. Для того, чтобы скрытое изображение находилось в фокусе , необходимо использовать метод формирования изображения в поверхностном слое резистной пленки. Расфокусировка ведет к быстрому искажению изображения , а также к уменьшению интенсивности дифрагированного на рисунке фотошаблона света , что требует увеличения времени экспозиции.