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半導體產業化學機械研磨之廢水處理 呂紹麟
- 1. 半導體產業化學機械研磨之廢液處理 報告人 : 呂紹麟 中華民國 96 年 6 月 13 日
- 2. 內容 : 一、一般废水处理 二、工业废水处理 叁、半导体产业化学机械研磨废水处理
- 3. 一、一般废水处理
- 4. 處理方式分成以下四個單元： (1) 初級處理：攔污除油。 (2) 二級處理：生物處理、沉澱。 (3) 三級處理：砂濾、吸附、軟化、消毒、 貯存、回收。 (4) 雨水處理：砂濾、貯存、回收。 台灣環保產業雙月刊
- 5. 大陆水工股份有限公司
- 6. 二、工业废水处理
- 9. 晶圓製程流程圖 IC 生產廠房 蝕刻與光阻剝除 半导体製程技術導論 欧亚书局 材料 設計 光罩 測試 封裝 最後測試 加熱製程 微影製程 離子佈植與光阻剝除 金屬化 化學機械研磨 介電質沉積 晶圓
- 10. 化學機械研磨 研磨漿 研磨襯墊 壓力 晶圓夾具 晶圓 膜層 平台 研磨漿輸配器 固定環 半导体製程技術導論 欧亚书局
- 11. CMP 的必要性 微影技術的解析度 R = K 1 l/NA 為改善解析度 , 數字孔徑 ( NA) ? or 波長 ( l) ? 景深 (DOF) = K 2 l/2(NA) 2 , 兩種改善解析度的方法都會降低光學系統的景深 當解析度 0.25 mm 時， 景深約 2,083 ? ，解析度 0.18 mm 時，景深約 1,500 ? 此處我們假設 K 1 =K 2 , l =248 nm (DUV), 且 NA =0.6 半导体製程技術導論 欧亚书局
- 12. CMP 的必要性 圖形尺寸 0.25 mm 需要粗糙度 < 2000 ? 所需的平坦化只能藉著使用 CMP 製程而達到 圖形尺寸 > 0.35 mm, 其他的平坦化方法可以用來滿足微影技術的景深需求 半导体製程技術導論 欧亚书局
- 13. CMP 的優點 晶圓表面平坦化可以容許高解析度的微影技術製程 被平坦化的表面也可以消除由於較差的 PVD 階梯蓋造成的側壁變薄的問題 半导体製程技術導論 欧亚书局
- 14. CMP 的應用 半导体製程技術導論 欧亚书局
- 15. ?
- 16. 化學機械研磨廢水處理方法 : 一、混凝沉澱 二、溶解空氣浮除 三、外加電場掃流微過濾 四、薄膜超過濾 五、微生物吸收 六、電化學處理
- 17. 化學機械研磨廢水處理技術 CMP 可分為兩大類： (1) 以化學加葯混凝做前處理伴隨重力沉澱、 加壓浮上或薄膜過濾等處理程序。 (2) 不加任何化學葯品直接以超過濾 (UF) 、 電膠凝／電透析 (EC/ED) 或外加電場微過濾處理程序。 駱尚廉
- 18. 一 、 化學加葯混凝做前處理，伴隨後段處理單元設備 化學加葯混凝及膠羽作用是一種既有效又普遍的化學處理程序， 藉著帶相反電荷之無機及有機物質表面電性中和及離子的中和作用， 以使去穩定化的溶解或懸浮固體物質形成膠羽，並藉著後段處理單元 來移除 CMP 廢水中所含之懸浮微顆粒、重金屬及一些有機物質。 二 、 直接使用超過濾或電膠凝處理方式 若不加任何化學葯品來混凝膠羽化 CMP 廢水中之溶解或懸浮微粒，只加入少量 pH 調整劑來做為前處理加葯時， 目前已被使用或被研究開發之處理系統有： 超過濾 (UF) 、電膠凝／電透析 (EC/ED) 或外加電場微濾系統等。 駱尚廉
- 23. 化学机械研磨之废液资源化
- 24. Microbar